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當(dāng)前位置：北京華沛智同科技發(fā)展有限公司>>技術(shù)文章

晶圓背減薄地質(zhì)領(lǐng)域應(yīng)用2024/12/05: 通常，標(biāo)準(zhǔn)的晶圓薄片生產(chǎn)可以分為以下步驟：1、現(xiàn)場(chǎng)規(guī)范的刨削和修整；2、對(duì)多孔或易碎的材料進(jìn)行浸漬軟化處理（可選）；3、初步研磨切割材料；4、制備均勻厚度的載玻片；5、將樣本粘合到制備的載玻片上；6、稀釋粘合的樣本；7、將樣品研磨至選定的厚度；8、拋光樣本（可選）。為什么選擇Logitech？1、Logitech在高精度設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造以及復(fù)雜的材料加工方面擁有50多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，可提供多種多功能系統(tǒng)，用于減薄、研磨、拋光和制備地質(zhì)薄片。2、Logitech專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在生產(chǎn)高質(zhì)量的地質(zhì)薄片如巖

藍(lán)寶石晶圓的研磨拋光2024/12/05: 藍(lán)寶石晶圓研磨拋光技術(shù)在現(xiàn)代半導(dǎo)體和光電子行業(yè)中扮演著重要的角色。藍(lán)寶石晶圓作為一種優(yōu)質(zhì)的襯底材料，廣泛應(yīng)用于LED、激光器、光電傳感器等高科技領(lǐng)域。而藍(lán)寶石晶圓的研磨拋光工藝則是制備高質(zhì)量藍(lán)寶石襯底的關(guān)鍵步驟之一。研磨拋光是通過機(jī)械摩擦和化學(xué)反應(yīng)的方式，將藍(lán)寶石晶圓表面的不平整、氧化物和污染物去除，使其表面變得光滑、平整，并獲得高度的光學(xué)透明度。下面是藍(lán)寶石晶圓研磨拋光的主要步驟：首先是準(zhǔn)備工作。在進(jìn)行研磨拋光之前，需要將藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行清洗，去除表面的灰塵和雜質(zhì)。然后，將晶圓固定在研磨機(jī)上，確

晶圓拋光百科2023/04/12: Logitech公司50多年來一直專注于高精密設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造，具有豐富的復(fù)雜材料加工處理經(jīng)驗(yàn)。Logitech精密研磨拋光系統(tǒng)在半導(dǎo)體晶圓表面處理、晶圓減薄（背減）和形狀控制方面提供大量的技術(shù)解決方案。選擇Logitech，我們的專家團(tuán)隊(duì)將與您一起將相關(guān)工藝和系統(tǒng)整合到您的晶圓制備項(xiàng)目中。Logitech系統(tǒng)通常可加工處理硅、砷化鎵、鎘碲化鎘、磷化銦、汞碲化鎘、硫化鎘等多種材料。特征工藝：1.晶圓襯底的粘接工藝，可滿足低、中、高不同的精度要求；2.可通過單頭自動(dòng)、單工作站或多工作站不同的設(shè)備配

寧波“水十條”正式發(fā)布水環(huán)境質(zhì)量將有明顯改善2022/05/19: 【中國化工儀器網(wǎng)國內(nèi)新聞】導(dǎo)語：寧波治水有了明確時(shí)間表，11月14日，寧波市正式發(fā)布了《寧波市水污染防治行動(dòng)計(jì)劃》。由于這個(gè)行動(dòng)計(jì)劃有項(xiàng)的內(nèi)容，因此也被稱為寧波“水十條”。計(jì)劃全面消除劣五類水質(zhì)，基本建成污水“零直排”區(qū)。根據(jù)“水十條”，到2017年寧波市的水環(huán)境質(zhì)量將有明顯改善。2020年前，寧波市全面消除縣控以上劣五類水質(zhì)斷面，還將基本建成污水“零直排”區(qū)。而到了2030年，全市水生態(tài)系統(tǒng)功能將基本恢復(fù)。“水十條”給出了寧波市治水的明確時(shí)間表其中，到2017年，全市水環(huán)境質(zhì)量明顯改善，提高黑

DEMO大連實(shí)驗(yàn)室正式成立2019/09/29: DEMO大連實(shí)驗(yàn)室正式成立，現(xiàn)配有LP70精密研磨拋光設(shè)備、PM6精密研磨拋光設(shè)備、WBS粘片機(jī)等，可承接樣品粘片研磨拋光實(shí)驗(yàn)、用戶理論及操作培訓(xùn)、研磨盤修整、夾具修復(fù)及維護(hù)等多種業(yè)務(wù)。歡迎廣大新老用戶蒞臨指導(dǎo)。

大連分公司消耗品倉庫2019/05/05: 為中國用戶提供更好的服務(wù)，大連分公司消耗品倉庫成立

光電領(lǐng)域晶圓的研磨拋光2018/09/03: Logitech公司擁有超過50年的高精密設(shè)備設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)。Logitech精密研磨拋光系統(tǒng)在晶圓表面處理、晶圓減薄（背減）和形狀控制方面提供大量的技術(shù)解決方案，尤其在光電材料加工方面?zhèn)涫芡瞥纭＿x擇Logitech，我們的專家團(tuán)隊(duì)將與您一起將相關(guān)工藝和系統(tǒng)整合到您的晶圓制備項(xiàng)目中。Logitech系統(tǒng)通常可加工處理硅、藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、鉆石、鈮酸鋰、鉭酸鋰、鉍硅氧化物、鈦酸鋇等多種光電材料。在光電器件拋光方面，Logitech系統(tǒng)可完成如下操作：1、從晶柱上切割晶圓片2、自動(dòng)研磨晶圓面或

磷化銦晶圓的研磨拋光2018/06/19: 磷化銦（InP）是由銦（In）和磷（P）組成的二元半導(dǎo)體，屬于一組通常稱為III-V半導(dǎo)體的材料。與硅和砷化鎵等更常見的半導(dǎo)體相比，磷化銦具有*的電子速度，常用于制造高功率和高頻率電子器件。磷化銦晶圓加工磷化銦具有與砷化鎵GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體幾乎相同的面心立方晶體結(jié)構(gòu)。磷化銦晶圓必須在器件制造之前準(zhǔn)備好，所有III-V晶圓必須重疊以消除切片過程中發(fā)生的表面損傷。然后晶片被化學(xué)機(jī)械拋光/分層（CMP）用于終材料去除階段，從而允許獲得具有原子尺度的超平坦粗糙度的鏡像表面。Logitech

砷化鎵晶圓的研磨拋光2018/05/30: 砷化鎵（galliumarsenide），化學(xué)式GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。砷化鎵晶圓的用途各不相同，主要用于一些二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的

EMA新品介紹-預(yù)填充反應(yīng)管-還原管2018/04/23: SerConANCASL/GSL/Integra同位素質(zhì)譜儀預(yù)填充反應(yīng)管-還原管使用我們預(yù)填充管可以為您節(jié)省時(shí)間和金錢：1、直接更換，減少儀器停機(jī)時(shí)間2、無需測(cè)量或處理化學(xué)試劑，避免遺撒浪費(fèi)，避免直接接觸化學(xué)試劑3、高質(zhì)量試劑，標(biāo)準(zhǔn)化制備，重復(fù)性高，更，更有效4、雙保險(xiǎn)密封包裝，確保試劑的性能穩(wěn)定和使用壽命不于以上型號(hào)，我們可根據(jù)您的要求填充制備.

羅技驅(qū)動(dòng)頭式研磨拋光系統(tǒng)2018/03/21: 羅技驅(qū)動(dòng)頭式研磨拋光系統(tǒng)——用于“硬質(zhì)材料”加工的高速研磨和拋光系統(tǒng)您的應(yīng)用是否需要處理硬質(zhì)半導(dǎo)體材料，如藍(lán)寶石，氮化鎵或碳化硅？DL/DP系統(tǒng)主要針對(duì)這些材料的研磨和zui后階段半自動(dòng)拋光而設(shè)計(jì)。DL系列精密研磨系統(tǒng)可同時(shí)處理幾何精度要求特別高的材料，可同時(shí)處理四個(gè)200mm/8“樣品（或多個(gè)較小樣品），該系統(tǒng)是小型研究實(shí)驗(yàn)室的理想選擇。DP系列高速精密拋光系統(tǒng)主要用于拋光堅(jiān)硬的材料，以滿足其表面外延質(zhì)量非常高的要求。加工能力可達(dá)300mm/12“（或多個(gè)較小的樣品），并可在每個(gè)承載頭上應(yīng)用z

PM6 專攻高標(biāo)準(zhǔn)4” InP 晶圓2018/02/26: PM6型精密研磨拋光系統(tǒng)是英國Logitech公司推向市場(chǎng)，應(yīng)用于眾多半導(dǎo)體領(lǐng)域的自動(dòng)型研磨拋光系統(tǒng)。PM6投入市場(chǎng)后被很多專業(yè)用戶普遍應(yīng)用，受到廣泛贊譽(yù)，其中不乏從事有線電視寬帶（CATV）、光纖到戶（FTH）及互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)等光纖產(chǎn)品及服務(wù)的供應(yīng)商。近年，隨著網(wǎng)絡(luò)進(jìn)一步普及寬帶市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)核心光纖生產(chǎn)技術(shù)提出更高要求。晶圓加工處理技術(shù)作為光纖產(chǎn)品線的重要生產(chǎn)工藝，不僅需要在提高生產(chǎn)能力上不斷突破，更要在產(chǎn)品質(zhì)量上達(dá)到非常高的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這對(duì)生產(chǎn)用戶在技術(shù)指標(biāo)、產(chǎn)能等方面提出了非常嚴(yán)苛的要求。L

見證客戶成功2017/12/14: Logitech一直與世界*大學(xué)合作，始終致力于在不同的應(yīng)用領(lǐng)域提供高精度的系統(tǒng)解決方案。我們需要的是高質(zhì)量的、強(qiáng)健的系統(tǒng)，這些系統(tǒng)能夠提供*的結(jié)果，并使zui大化。了解我們的客戶的研究和發(fā)現(xiàn):下載我們的客戶案例，通過對(duì)系統(tǒng)和工藝過程的研究，可以深入了解羅技精密系統(tǒng)。從洞察力中獲益:1、納米晶體金剛石膜的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的成功2、地質(zhì)考古學(xué)和土壤微貌學(xué)的土壤形式和沉積物的形成3、纖維增強(qiáng)熱塑性塑料的研磨和拋光，用于單纖維推出試驗(yàn)4、用于實(shí)現(xiàn)高規(guī)格結(jié)果的設(shè)備和流程路由歡迎大家關(guān)注前沿技術(shù)。

喜聞山東大學(xué)陳秀芳榮獲“第三代半導(dǎo)體青年”2017/09/21: “第三代半導(dǎo)體青年”評(píng)選活動(dòng)，是為了營(yíng)造青年人才成長(zhǎng)的環(huán)境，提升*三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟青年創(chuàng)新促進(jìn)委員會(huì)在科技部人才中心的指導(dǎo)下成功舉辦。首屆啟動(dòng)“第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新青年”評(píng)選通知發(fā)出后，得到了領(lǐng)域內(nèi)青年工作者們的積極參與。經(jīng)組委會(huì)初評(píng)、評(píng)委會(huì)專家評(píng)分、網(wǎng)絡(luò)投票等幾個(gè)環(huán)節(jié)認(rèn)真的審定，于2016年11月14日在聯(lián)盟第二次會(huì)員代表大會(huì)上，揭曉了獲得首屆“第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新青年”的獲獎(jiǎng)人員。我司用戶山東大學(xué)陳秀芳老師榮獲此次大獎(jiǎng)，特此祝賀。陳老師的研究課題為P型S

金剛石，工程師的朋友2016/10/28: 金剛石是一種純碳物質(zhì)，也是鉆石的原石。近年來，隨著開發(fā)技術(shù)難題的攻克，具有晶瑩質(zhì)感的鉆石不僅僅是女孩們的zui愛，也成為工程師的朋友。由于金剛石的性能，金剛石納米薄膜已經(jīng)在MEMS、表面聲波（SAW）器件、熱量管理及摩擦涂層等方面得到廣泛應(yīng)用。金剛石生長(zhǎng)從應(yīng)用技術(shù)上講需要將納米薄膜置于硅晶片上生長(zhǎng)。這個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)的關(guān)鍵，是金剛石外延生長(zhǎng)不能直接在晶片上進(jìn)行，需要在生長(zhǎng)前先將金剛石納米顆粒種植于晶片上。競(jìng)爭(zhēng)性的生長(zhǎng)過程中，往往導(dǎo)致表面變粗糙，不利于金剛石生長(zhǎng)的關(guān)鍵應(yīng)用。為了克服表面粗糙的難題，來自卡

環(huán)保部計(jì)劃2年內(nèi)開展全國空氣質(zhì)量監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)專項(xiàng)檢查2016/10/26: 【中國化工儀器網(wǎng)國內(nèi)新聞】導(dǎo)讀：日前，環(huán)境保護(hù)部副部長(zhǎng)吳曉青在公開場(chǎng)合說，“監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)造假問題仍然存在”，篡改、偽造監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的要追究法律責(zé)任，嚴(yán)懲不貸。為此，環(huán)保部決定用2年時(shí)間，開展全國空氣質(zhì)量監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)專項(xiàng)檢查。實(shí)際上，對(duì)于環(huán)境保護(hù)的各項(xiàng)指標(biāo)，地方政府并非不知道如何才能完成。比如，嚴(yán)格執(zhí)行“環(huán)保三同時(shí)”制度，從根源上整治環(huán)境污染，關(guān)閉污染嚴(yán)重企業(yè)等，自然就能完成環(huán)保的各項(xiàng)指標(biāo)。然而，盡管當(dāng)前環(huán)保問題已經(jīng)被上級(jí)部門列入考核地方工作，并且一直是“一票否決”，但其實(shí)一直是軟指標(biāo)，軟尺度，而GDP則一直

三部委促成《全國土壤污染狀況詳查總體方案》完善2016/10/09: 導(dǎo)讀：由國土資源部、環(huán)境保護(hù)部、農(nóng)業(yè)部專家組成的聯(lián)合調(diào)研組近日來到河北省沽源縣土地質(zhì)量地球化學(xué)調(diào)查工程下屬項(xiàng)目野外工作區(qū)，現(xiàn)場(chǎng)調(diào)研土地質(zhì)量地球化學(xué)調(diào)查野外工作，并就采樣點(diǎn)布置、樣品采集、樣品制備加工等方面技術(shù)進(jìn)行交流研討。2016年5月，國務(wù)院頒布的《土壤污染防治行動(dòng)計(jì)劃》（以下簡(jiǎn)稱《土十條》）是我國向土壤污染宣戰(zhàn)的綱領(lǐng)性文件。1999年以來，國土資源部組織中國地質(zhì)調(diào)查局等單位持續(xù)開展土地質(zhì)量地球化學(xué)調(diào)查工作，初步查明了我國東、中部平原盆地等主要農(nóng)業(yè)生產(chǎn)區(qū)的土壤環(huán)境質(zhì)量狀況；建立了系列調(diào)查方法技

硬度、硬度單位2016/09/27: 硬度--是衡量材料軟硬程度的一個(gè)性能指標(biāo)。它既可理解為是材料抵抗彈性變形、塑性變形或破壞的能力，也可表述為材料抵抗殘余變形和反破壞的能力。硬度不是一個(gè)簡(jiǎn)單的物理概念，而是材料彈性、塑性、強(qiáng)度和韌性等力學(xué)性能的綜合指標(biāo)。硬度試驗(yàn)的方法較多，原理也不相同，測(cè)得的硬度值和含義也不*一樣。zui常用的是靜負(fù)荷壓入法硬度試驗(yàn)，即洛氏硬度（HRA|HRB|HRC）、布氏硬度（HB）、維氏硬度（HV），其值表示材料表面抵抗堅(jiān)硬物體壓入的能力。而里氏硬度（HL）、肖氏硬度（HS）則屬于回跳法硬度試驗(yàn)，其值代表金

土壤污染風(fēng)險(xiǎn)巨大城市土壤修復(fù)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)亟待規(guī)范2016/09/13: 導(dǎo)讀：常州外國語學(xué)校“毒地”調(diào)查結(jié)果日前公布，學(xué)校周邊“常隆地塊”在土壤修復(fù)中存在的問題暴露出來。近年來，從廣東、湖南等地發(fā)現(xiàn)“毒大米”，到江蘇常州“毒地”，我國土壤污染帶來的危害性不斷升級(jí)。專家指出，隨著越來越多化工企業(yè)退出市中心，今后將有大量原化工用地改建為住宅、商業(yè)用地，再加上全國各地為數(shù)眾多的化工園區(qū)，潛在土壤污染擴(kuò)散風(fēng)險(xiǎn)巨大，土壤修復(fù)產(chǎn)業(yè)亟待規(guī)范，需要扶持相關(guān)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化運(yùn)行。近幾年，土壤污染問題頻頻在各地出現(xiàn)。長(zhǎng)期以來，由于我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式相對(duì)粗放，污染物排放總量居高不下，部分地區(qū)土壤

晶體Si片切割表面損傷及其對(duì)電學(xué)性能的影響2016/08/09: 摘要：對(duì)比觀察了不同工藝條件下金剛石線鋸和砂漿線鋸切割晶體Si片的表面微觀形貌；分析了其切割機(jī)理及去除模式；對(duì)比分析了三種不同化學(xué)方法鈍化Si片的效果和穩(wěn)定性；采用逐層腐蝕去除Si片的損傷層，使用碘酒對(duì)其進(jìn)行化學(xué)鈍化，然后測(cè)試其少子壽命，分析Si片少子壽命隨去除深度的變化趨勢(shì)，根據(jù)Si片少子壽命達(dá)到zui大值時(shí)的腐蝕深度，測(cè)試確定Si片的損傷層厚度。經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)得，砂漿線鋸切割Si片的損傷層厚度為10μm左右，金剛石線鋸切割Si片的損傷層厚度為6μm左右。結(jié)果表明，相比于砂漿線鋸切割Si片，金剛石線

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