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　　【化工儀器網 項目成果】二維半導體材料具有原子級厚度及獨特的能帶結構，在光電器件應用領域展現出優勢。然而，二維材料通常光吸收較弱，且在光電轉換過程中，一個入射光子只能激發一個電子-空穴對，導致器件的光探測能力不高。一般來說，提高光增益有雪崩和光柵兩種方式：雪崩機制對材料能帶的匹配要求苛刻，且需在高偏置電壓下工作；而光柵機制由于電荷弛豫效應，導致光電響應速度顯著降低。
 

　　中國科學院金屬研究所與國內多家單位的科研團隊合作，提出了一種提高光增益的新方法，選擇合適溝道和電極材料進行能帶匹配，使其在光照下晶體管源、漏端的勢壘降低并形成正反饋，從而獲得超高靈敏度的二維材料光電探測器。7月2日，相關研究成果以《一種超靈敏的鉬基雙異質結光電晶體管》(An ultrasensitive molybdenum-based double-heterojunction phototransistor)為題，在線發表在《自然-通訊》(Nature Communications)上。
 

　　研究團隊使用二維二硫化鉬作為溝道材料、氧化鉬(α-MoO3-x)為電極材料，在晶體管源端和漏端形成了二硫化鉬/氧化鉬雙異質結，構筑光電晶體管。該晶體管展現出超高響應度(>10⁵ A/W)、超高外量子效率(>10⁷ %)、在二維材料光電探測器中最高的探測度(9.8×10¹⁶ Jones)和超快光電響應速度(約100 μs)等優異的光電特性。

 

　　研究構筑不同種類源漏電極的光電晶體管，氧化鉬為電極的器件光響應是鈦/金(Ti/Au)電極器件的3-4個數量級。結合對材料能帶結構的光學表征和理論計算，科研人員還提出了雙異質結光致勢壘降低機制的器件工作原理，即在暗態下氧化鉬/二硫化鉬異質結形成大的肖特基勢壘，源端電子無法注入溝道中，實現了超低暗電流和噪聲。在光照條件下，電子-空穴對在源端耗盡區生成，隨后在內建電場驅動下高效分離，載流子的濃度變化導致源端電子勢壘的降低，實現了電子注入和光增益；注入的電子又可降低漏端電子勢壘，增大光電流；而這進一步增強源極內建電場，實現了雙異質結間的正反饋效應，獲得了超高響應度和探測度。同時，由于不使用陷阱束縛電荷，器件還具有高響應速度。該研究提出了一種具有普適性意義的提高光電探測器增益的方法，可推廣至其他二維材料體系，為未來構建超靈敏光電探測器開辟了新思路。
 

　　研究工作得到了國家自然科學基金、中科院、遼寧省興遼英才計劃、沈陽材料科學國家研究中心等的支持。