特色：

•    體積小巧，容易存放，桌面型

•    輕微復(fù)制微米和納米級(jí)結(jié)構(gòu)

•    熱壓印溫度高達(dá)200°C

•    可選的高溫模塊，適用于240°C

•    UV 納米壓印，365nm曝光

•    真空納米壓印（腔室可抽真空至0.1毫巴）

•    納米壓印壓力高達(dá)10巴

•    溫度分布均勻、讀數(shù)精準(zhǔn)

•    筆記本電腦全自動(dòng)控制，工藝配方編輯簡(jiǎn)單，*靈活控制，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)

•    直徑大100毫米（圓形）腔室

•    腔室高度為20毫米，可擴(kuò)展至45毫米

•    即插即用

•    使用簡(jiǎn)單直觀(guān)

•    專(zhuān)為研發(fā)而設(shè)計(jì)

•    提供安裝和操作教程視頻

應(yīng)用：在過(guò)去五年中，石墨烯的氣體傳感器引起了極大的興趣，顯示出單分子檢測(cè)。

近的研究表明，與非圖案化層相比，石墨烯的圖案化強(qiáng)烈地增加了靈敏度。

通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)程序生長(zhǎng)CVD石墨烯，然后轉(zhuǎn)移到Si / SiO 2基板上進(jìn)行進(jìn)一步處理。 如（Mackenzie，2D Materials）中所述，使用物理陰影掩模和激光燒蝕來(lái)定義接觸和器件區(qū)域。

使用軟壓印在CNI v2.0中進(jìn)行熱納米壓印光刻。 將mr-I7010E壓印抗蝕劑在130℃，6巴壓力下壓印10分鐘。 壓力在70℃下釋放。

通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻將邊緣到邊緣間隔為120-150nm的大面積圖案的孔轉(zhuǎn)移到石墨烯中，并且用丙酮除去殘留的抗蝕劑。

發(fā)現(xiàn)器件具有大約的載流子遷移率發(fā)現(xiàn)器件在加工前具有約2000cm2 / Vs的載流子遷移率，之后具有400cm2 / Vs的載流子遷移率處理，同時(shí)保持整體低摻雜水平。