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電阻率測(cè)試儀（RESmap ）在對(duì)低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測(cè)量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
電阻率測(cè)試儀（RESmap ）特征 ：
| 電阻率的非接觸式測(cè)量和成像 | 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號(hào)靈敏度 | 基于線圈頻率讀數(shù)的高信號(hào)靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測(cè)量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性 |
| 測(cè)量時(shí)間 | 測(cè)量時(shí)間 < 3 s，測(cè)量之間時(shí)間 < 1 s |
| 測(cè)量速度 | 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個(gè)點(diǎn) |
| 多點(diǎn)測(cè)量及測(cè)繪顯示 | 不超過9999個(gè)點(diǎn) |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺(tái)式儀器設(shè)計(jì)，可靠性高，正常運(yùn)行時(shí)間 > 99% |
| 電阻率測(cè)量的重復(fù)性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對(duì)材料系統(tǒng)分析（MSA） |
更多技術(shù)規(guī)格和配置選項(xiàng):
| 為自動(dòng)化流程做準(zhǔn)備 | 可用于不同的平臺(tái) |
| 測(cè)量方法符合 | SEMI MF673標(biāo)準(zhǔn) |
| 數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)有效性檢查 | 使用NIST標(biāo)準(zhǔn) |
| 校準(zhǔn)精度 | ±1% |
| 集成紅外溫度傳感器 （±0.1°） | 允許報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)溫度下的電阻率，（與樣品的實(shí)際溫度不同） |
| 樣品厚度校準(zhǔn) | 對(duì)于高頻信號(hào)穿透深度大于穿透深度的樣品 |
| 電力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
| 尺寸 | 465 ´ 550 ´ 600 mm |
| 軟件控制 | 配備Window10或新版本的標(biāo)準(zhǔn)PC，2個(gè)以太網(wǎng)端口 |
用戶友好且*的操作軟件：
◇ 電阻率測(cè)量配方；
◇ 導(dǎo)出/導(dǎo)入功能和原始數(shù)據(jù)訪問；
◇ 多級(jí)用戶賬戶管理；
◇ 所有執(zhí)行的測(cè)量概覽；
◇ 繪圖選項(xiàng)（線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義圖案）；
◇ 分析功能包；統(tǒng)計(jì)、方差分析、溫度校正函數(shù)和數(shù)據(jù)庫；
◇ 遠(yuǎn)程訪問；基于互聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持；
電渦流傳感器的測(cè)量原理
中心處可實(shí)現(xiàn)較大的準(zhǔn)確性和精確度
4H-SiC晶圓整個(gè)生長面區(qū)域的電阻率變化測(cè)量
硅晶圓電阻率變化測(cè)量 — 面掃描、分布和線掃描
束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司
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