背景：

硅片，是一種圓形的片狀材料，其原子經(jīng)過人工重新排列，是具有晶向的高純半導(dǎo)體材料。由于硅元素在占地殼質(zhì)量的26%，所以單晶硅是目前主要的半導(dǎo)體材料。單晶硅是目半導(dǎo)體材料，占據(jù)半導(dǎo)體材料市場的90%以上，是信息技術(shù)和集成電路的基礎(chǔ)材料。        

   XRD硅片衍射高溫測實驗裝置是區(qū)別于目前常溫下對硅片進行測試的裝置，現(xiàn)在是基于一種高溫環(huán)境下對硅片衍射提供一種更加復(fù)雜的環(huán)境即高溫條件下測試硅片的性能，是材料研究中一種變溫裝置。

主要技術(shù)參數(shù)：

材質(zhì)：不銹鋼材質(zhì)

溫度范圍：室溫～500℃

加熱平臺：φ200mm

平面射角：-40°≤α≤40°，射線垂面射角：-2°≤β≤70°

升溫速率<5℃/min

主測溫：熱電偶，紅外測溫（輔助）

溫度顯示/控制精度：0.1℃/0.5℃

實驗環(huán)境：腔體密閉，可充氣氛

冷卻方式：循環(huán)水冷

溫度控制：調(diào)節(jié)器精度0.2級，PID人工智能控制，50段程序

溫控軟件：中英文界面切換，實時操控，多點溫度校正、可設(shè)置溫速、控溫區(qū)間等，工藝曲線顯示與記錄

運動控制儀：一軸熱臺水平移動，一軸熱臺旋轉(zhuǎn)，一軸紅外測溫移動。手動或軟件操控