![]() MicroWriter MLTM是款設計的激光直寫光刻系統,不僅具有無掩模板直寫系統的靈活性,還擁有高書寫速度和低成本的點。15個藍光激光頭可以在電腦控制下進行平行工作對基片上無需高分辨率的部分進行高速書寫曝光,之后自動切換高分辨激光,并對需要高分辨的細節進行加工。這樣的設計在加工速度和分辨率之間取得了的平衡,并通過軟件改變曝光圖案設計完整保證了其靈活性。 ![]()
![]() ![]() MicroWriter MLTM是款設計的激光直寫光刻系統,不僅具有無掩模板直寫系統的靈活性,還擁有高書寫速度和低成本的點。15個藍光激光頭可以在電腦控制下進行平行工作對基片上無需高分辨率的部分進行高速書寫曝光,之后自動切換高分辨激光,并對需要高分辨的細節進行加工。這樣的設計在加工速度和分辨率之間取得了的平衡,并通過軟件改變曝光圖案設計完整保證了其靈活性。 ![]() 內置自動對焦系統通過調節基片臺在Z方向的位置,對基片上的紅色激光斑進行自動對焦。只需單擊軟件上的對焦鍵就能完成對新放入的基片對焦。與些其他自動對焦系統對基片zui小尺寸有要求不同,MicroWriter MLTM的自動對焦可以用到小的樣品上,非常適用于對單個壓模的書寫。 對于表面不平的基片,可以在曝光之前對其表面測繪,之后進行曝光的同時中可以自動校正對焦。 ![]() ![]() 確切的書寫速度取決于曝光圖案。大部分研發用圖案是由大面積區域(線、帶、塊)和少量的細小尺寸結構組成的。MicroWriter MLTM非常適用于這類應用。在這種情況下,使用“turbo”模式,通過自動結合高速平行書寫和高分辨書寫,可以的得到180mm2/min的有效書寫速度。對于需要進行大面積細小結構書寫的基片,曝光時間會相應增長。 ![]() ![]() zui大可以放入230mm直徑基片,可以保證200mm x 200mm范圍內的準確曝光。zui小基片尺寸為 1mm2。基片由真空夾從底部固定,zui大基片厚度為15mm。 ![]() 基本配置包括個1μm分辨率的激光頭和15個5μm分辨率的激光頭。個0.6μm分辨率的激光頭可以作為選件添加(OPT-HIRES)。上為分辨率測試結構圖。單臂結構在半徑中點以外被區分出來,4μm內包括1μm臂寬和2μm的周期。 ![]() 具有不同曝光性質的多組曝光任務可以被結合起來。例如,用1μm激光得到條微小的微米線,再用5μm激光得到大面積連接片并使其連接到微米線上。:光學顯微圖(左)和掃描激光顯微圖(右)顯示通過兩個曝光任務(下圖)得到的微米線連接大尺寸連接片的圖形。兩個圖片都是通過MicroWriter MLTM內置顯微鏡得到。 ![]() ![]() MicroWriter MLTM內置的Clewin 4掩模板設計軟件(見圖11),可以用于設計多層掩模板文件,同時可以讀取多種標準圖形格式(DXF, CIF, GDSII, Gerber)的設計文件。基片設計可以做步進模擬,比如設計個單圖案然后在整個基片范圍內重復運用,或者對整個基片進行整體設計,以便減少拼接誤差。與電子束刻蝕系統不同,MicroWriter MLTM不存在書寫范圍限制(取決于基片尺寸)。為了簡化掩模板設計,MicroWriter MLTM可以直接讀取.TIFF,.BMP等圖片格式。 ![]() 大多數用電子束刻蝕制造的器件只有很小的部分結構需要用到電子束刻蝕的高分辨率,而大部分曝光時間都浪費在了如電連接等大面積結構的生成上。MicroWriter MLTM可以被用在混合模式刻蝕工藝上:只用費用昂貴、速度緩慢的電子束刻蝕加工zui細小的結構,用成本低廉的MicroWriter MLTM加工大面積部分。MicroWriter MLTM進的對準機制可以使兩部工序*結合。因此MicroWriter MLTM也適用于已經擁有電子束刻蝕的實驗環境。 ![]()
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![]() MicroWriter MLTM是款設計的激光直寫光刻系統,不僅具有無掩模板直寫系統的靈活性,還擁有高書寫速度和低成本的點。15個藍光激光頭可以在電腦控制下進行平行工作對基片上無需高分辨率的部分進行高速書寫曝光,之后自動切換高分辨激光,并對需要高分辨的細節進行加工。這樣的設計在加工速度和分辨率之間取得了的平衡,并通過軟件改變曝光圖案設計完整保證了其靈活性。 ![]()
![]() ![]() MicroWriter MLTM是款設計的激光直寫光刻系統,不僅具有無掩模板直寫系統的靈活性,還擁有高書寫速度和低成本的點。15個藍光激光頭可以在電腦控制下進行平行工作對基片上無需高分辨率的部分進行高速書寫曝光,之后自動切換高分辨激光,并對需要高分辨的細節進行加工。這樣的設計在加工速度和分辨率之間取得了的平衡,并通過軟件改變曝光圖案設計完整保證了其靈活性。 ![]() 內置自動對焦系統通過調節基片臺在Z方向的位置,對基片上的紅色激光斑進行自動對焦。只需單擊軟件上的對焦鍵就能完成對新放入的基片對焦。與些其他自動對焦系統對基片zui小尺寸有要求不同,MicroWriter MLTM的自動對焦可以用到小的樣品上,非常適用于對單個壓模的書寫。 對于表面不平的基片,可以在曝光之前對其表面測繪,之后進行曝光的同時中可以自動校正對焦。 ![]() ![]() 確切的書寫速度取決于曝光圖案。大部分研發用圖案是由大面積區域(線、帶、塊)和少量的細小尺寸結構組成的。MicroWriter MLTM非常適用于這類應用。在這種情況下,使用“turbo”模式,通過自動結合高速平行書寫和高分辨書寫,可以的得到180mm2/min的有效書寫速度。對于需要進行大面積細小結構書寫的基片,曝光時間會相應增長。 ![]() ![]() zui大可以放入230mm直徑基片,可以保證200mm x 200mm范圍內的準確曝光。zui小基片尺寸為 1mm2。基片由真空夾從底部固定,zui大基片厚度為15mm。 ![]() 基本配置包括個1μm分辨率的激光頭和15個5μm分辨率的激光頭。個0.6μm分辨率的激光頭可以作為選件添加(OPT-HIRES)。上為分辨率測試結構圖。單臂結構在半徑中點以外被區分出來,4μm內包括1μm臂寬和2μm的周期。 ![]() 具有不同曝光性質的多組曝光任務可以被結合起來。例如,用1μm激光得到條微小的微米線,再用5μm激光得到大面積連接片并使其連接到微米線上。:光學顯微圖(左)和掃描激光顯微圖(右)顯示通過兩個曝光任務(下圖)得到的微米線連接大尺寸連接片的圖形。兩個圖片都是通過MicroWriter MLTM內置顯微鏡得到。 ![]() ![]() MicroWriter MLTM內置的Clewin 4掩模板設計軟件(見圖11),可以用于設計多層掩模板文件,同時可以讀取多種標準圖形格式(DXF, CIF, GDSII, Gerber)的設計文件。基片設計可以做步進模擬,比如設計個單圖案然后在整個基片范圍內重復運用,或者對整個基片進行整體設計,以便減少拼接誤差。與電子束刻蝕系統不同,MicroWriter MLTM不存在書寫范圍限制(取決于基片尺寸)。為了簡化掩模板設計,MicroWriter MLTM可以直接讀取.TIFF,.BMP等圖片格式。 ![]() 大多數用電子束刻蝕制造的器件只有很小的部分結構需要用到電子束刻蝕的高分辨率,而大部分曝光時間都浪費在了如電連接等大面積結構的生成上。MicroWriter MLTM可以被用在混合模式刻蝕工藝上:只用費用昂貴、速度緩慢的電子束刻蝕加工zui細小的結構,用成本低廉的MicroWriter MLTM加工大面積部分。MicroWriter MLTM進的對準機制可以使兩部工序*結合。因此MicroWriter MLTM也適用于已經擁有電子束刻蝕的實驗環境。 ![]()
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