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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>化學氣相沉積設備>BTF-1200C-S-PECVD 微型PECVD系統管式爐

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BTF-1200C-S-PECVD 微型PECVD系統管式爐

具體成交價以合同協議為準

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      安徽貝意克設備技術有限公司成立于2012年,基地位于安徽合肥,是一家集新材料設備研發、生產、銷售與技術服務于一體的高科技企業。

      公司重視技術攻關和產品研發,建有超卓的產品研發中心,擁有一支由多名博士碩士組成的專業研發隊伍,累計獲得patent200余項。并通過產學研合作,與北京大學南開大學等多所院校建立聯合實驗室及研究生聯合培養基地
      公司專注于新材料裝備工藝開發及裝備制造,產品門類涵蓋了OLED材料提純專用設備系列、碳材料制備設備系列、半導體專用設備系列及金屬納米顆粒設備系列四大類共十余個子類,與眾多材料廠商、科研院校等保持長期合作關系,市場營銷網絡遍布全球各地。
      連年來,公司相繼被認定為“高新技術企業”“專精特新企業““科技小巨人培育企業”“石墨烯生長設備工程技術研究中心”“瞪羚企業”“雛鷹企業”,并接連獲得“中國隱形獨角獸500強”“科技創新獎”“創新創業獎”等多項榮譽。

 

 

 

 

 

 

 

 

高溫管式爐,箱式爐,CVD系統,PECVD系統, 等離子清洗機,陶瓷材料燒結設備

產地類別 國產 價格區間 5萬-10萬
儀器種類 管式爐 應用領域 醫療衛生,環保,化工,生物產業

微型PECVD系統,它包括小型真空管式爐,石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬:0-100W可調; 溫度范圍寬:100-1200度可調;濺射區域寬:0-600mm可調;適用范圍寬:金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,連續生長各種薄膜等。增加功能容易,可擴展等離子清洗刻蝕等功能。

 

主要特點

 

    1. 薄膜沉積速率高:采用了甚高頻技術,大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達10Å/S;
    2. 大面積均勻性高:采用了*的多點射頻饋入技術,特殊氣路分布和加熱技術等,使得薄膜均勻性指標達到8%;
    3. 一致性高:用半導體行業的*設計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
    4. 工藝穩定性高:高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定;

    5. 選配物料噴射系統,可將原料直接噴射到反應區。

 

技術參數

 

 

真空管式爐

爐管尺寸:

外徑Φ50×700mm

極限溫度:

1200℃

溫度控制器:

PID自動控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器

zui快升降溫速率:

60℃

加熱區:

230mm

恒溫區:

100mm

溫度精度:

±1℃

電源:

單相220V,交流50Hz

 

 

 

多通道流量計控制系統

標準量程:

100,200SCCM;(以氮氣標定,除以上標準外量程可選)

準確度:

±1.5%

工作壓差范圍:

0.1~0.5 MPa

大壓力:

3MPa

接頭類型:

Φ6雙卡套不銹鋼接頭

 

 

高真空系統

                   

 

泵體積流量N2

33 L/S

壓縮比:

≥1011mbar   

實驗真空值:

≤10-6mbar

功率消耗:

140W

啟動時間:

2min

電源要求:

185-265V AC

射頻電源

信號頻率:

13.56MHz±0.005%W

功率輸出范圍:

0-100W

大反射功率:

10W



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