一、設備介紹
   FHR.Star.100-PentaCo設備為特殊設計、高度集成的濺射設備，適用于硅片類基片或基片承載器的工藝處理。設備構造包括一個配備機械手的進樣室和一個*多可裝配五個濺射源的工藝腔室。各源以共焦方式排列。沉積過程通過加熱式旋轉背板攜帶載片器共同運動方式執行。旋轉臺接入RF偏壓。濺射源裝配直徑100 mm的平面陰極和氣動控制式擋板，可實現依序沉積和共沉積兩種工藝方式。此外，各源可沿軸向及橫向進行位置調節，并且載片臺也可將載片器提升起來。因此，FHR.Star.100-PentaCo設備可在不同靶基距條件下實現不同高度基片的膜層工藝。自動傳輸系統將載片器從進樣室傳輸到工藝腔室。通過預先編輯好的工藝流自動實現基片依序沉積工藝。

二：適用工藝
1.反應和非反應磁控濺射(DC模式)  RF 濺射
2.預處理(如，等離子刻蝕)
3.針對旋轉式載片臺實現共濺射

三、客戶優勢
1.集成式設計占地面積少
2.可兼容潔凈室隔離墻
3.設備維護迅速簡單
4.具吸引力的投資和運行成本

四、特殊性能
1.可提升載片器的加熱式旋轉載片臺，
2.連接基片RF偏壓(標準硅片溫度*高 500 °C)靶基距可調
3.全自動工藝控制
4.CE 認證
5.德國制造

五、可選方案
1.適于進樣室側使用的層流箱

六、典型應用
1.MEMS和傳感器領域多層膜
2.微電和光電領域功能膜