| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 能源,電子/電池,航空航天,電氣 |
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光矢量分析儀OCI-V其原理是采用線性掃頻光源對待測器件進行掃描，并結合相干檢測技術獲取待測器件的瓊斯矩陣，進而獲得器件插損、色散、偏振相關損耗、偏振模色散等光學參數。該系統采用光路設計以及*算法，實現智能校準，操作簡單，極大節省測試時間。
特點：
• 自校準
• 測量長度：200m
• 波段：C+L、O波段（可選）
• 1秒內測量多種光學參數
應用：
•平面波導器件、硅光器件、光纖器件。
• 波長可調器件、放大器、濾波器。
• 測量參數：偏振相關損耗PDL，偏振模色散PMD，插損IL，群延時GD，色散CD，瓊斯矩陣參數，光學相位。
光矢量分析儀OCI-V參數：
主要參數 | ||||
標準模式 | 高動態范圍模式 | |||
測量長度1 | 200 | m | ||
波段 | C+L 波段：1525~1625；O 波段：1265~1340 | nm | ||
波長分辨率 | 1.6 | pm | ||
波長精度 | ±1.0 | pm | ||
損耗（IL） | ||||
動態范圍 | 60 | 80 | dB | |
插損精度 | ±0.1 | ±0.05 | dB | |
分辨率 | ±0.05 | ±0.002 | dB | |
回損精度 | ±0.1 | dB | ||
群延時 （GD) | ||||
量程 | 6 | ns | ||
精度 | ±0.2 | ±0.1 | ps | |
損耗范圍 | 45 | 60 | dB | |
色散（CD） | ||||
精度 | ±10 | ±5 | ps/nm | |
偏振相關損耗（PDL) | ||||
動態范圍 | 40 | 50 | dB | |
精度 | ±0.05 | ±0.03 | dB | |
偏振模色散（PMD） | ||||
量程 | 6 | ns | ||
精度 | ±0.1 | ps | ||
損耗范圍 | 40 | 50 | dB | |
硬件 | ||||
主機功率 | 60 | W | ||
通訊接口 | USB | - | ||
光纖接口 | FC/APC | - | ||
尺寸 | W 345 * D 390 * H 165 | mm | ||
重量 | 7.5 | kg | ||
儲存溫度 | 0 ~ 50 | ℃ | ||
儲存與工作溫度 | 10 ~ 40 | %RH | ||
定制功能2 | ||||
測量長度 | 100 | m | ||
空間分辨率 | 10μm@50m | 20μm@100m | μm | |
回損測量范圍 | -125 ~ 0 | dB | ||
插損動態范圍 | 18 | dB | ||
插、回損分辨率 | 0.05 | dB | ||
插、回損精度 | ±0.1 | dB | ||
備注：
1.透射模式測量長度200m，可拓展反射模式，測量長度為100m；
2.光矢量分析儀(OCI-V)可拓展OFDR功能，測量光纖鏈路。
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