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HWN-L2新型納米激光直寫系統

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公司簡介:

   蘇州華維納納米科技有限公司是在"蘇州工業園區創業人才項目"的支持下,于2011年注冊成立的高科技創新型公司,公司由歸國和國內的高層次人才組成,公司設有博士后流動站。公司曾先后獲得國家科技部(國家重大大科學儀器設備開發專項)和姑蘇、江蘇省雙創人才、以及蘇州x-nano大科學裝置等項目支持,并于20126月 完成首輪風險融資,成功研發出擁有自主知識產權的三大系列新型納米激光光刻系統,2015年被認定為高新技術企業。

公司近年來,不斷加大研發力度,已經定型了LDW-P LDW-L兩大系列新型激光直寫設備,實現了激光直寫設備的更新換代。該新型激光直寫采用全新的技術路徑提高加工分辨率,一舉突破突衍射極限的限制,成功實現納米尺度加工;突破了目前激光直寫僅能用于有機光刻膠的現狀,可以廣泛應用于各種受體材料,極大地擴展了激光直寫設備的應用范圍。





無掩模納米光刻系統,激光直寫設備

應用領域 化工 激光波長 405nm
特征尺寸 100nm 激光功率 120mW至300mW(可選)
芯片尺寸 2英寸 刻寫范圍 50mm×50mm?至?100mm×100?mm(可選)

HWN-L2新型納米激光直寫系統是一款大面積、高精度、可套刻、超衍射極限加工的激光直寫系統,可用于晶圓尺寸的大面積微納加工,適用于各種微納結構和器件制造、小批量微納器件生產等。該系列包括L50、L100等不同型號,具有功能強大、維護簡單、加工分辨率高、支持多種刻寫模式、支持多種受體材料等特征。另外,本系統在設計之初保留了充足的物理空間和硬件資源,以滿足后續功能升級換代的需求,使產品具有更長的生命周期。

蘇州華維納納米科技有限公司于2011年注冊成立的高科技創新型公司,主要從事新型納米光刻技術和無掩模納米光刻機的研發和產業化工作。





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