天康微差壓變送器工作原理及結構：

MEMS（微電子機械加工系統）的系列高穩定性單晶硅壓力傳感器，具有多項的性能，可廣泛應用于石油化工，冶金電力，工業自動化、航空航天、核能等領域。

天康微差壓變送器主要工作原理：

主單元包括傳感器和過程連接，工作原理如下：傳感器模塊采用全焊接技術，內部擁有一個整體化的過載膜片，一個溫度傳感器和一個壓力/差壓傳感器。溫度傳感器作為溫度補償的參考值。壓力/差壓傳感器通過隔離膜片和填充液，傳遞給壓力/差壓傳感器的硅芯片，使壓力/差壓傳感器的芯片的阻值發生變化，從而導致檢測系統輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比，再由適配單元和放大器轉化成一標準化信號輸出。

系列單晶硅傳感器的特性：

● 全不銹鋼316L硅油充灌焊接密封結構；

● EMC符合GB/T 18268.1-2008標準要求；

● 傳感器中心傳感單元采用的高精度單晶硅傳感器技術，最高可達±0.05%級的精度；

● 傳感器內部集成高靈敏度溫度傳感器，單晶硅傳感器受溫度影響的性能優≤±0.04%/10K；

■ 高純度單晶硅材質

系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性遠遠優于市場上現有的復合硅、擴散硅芯片。

■ 雙梁懸浮式MEMS技術

系列單晶硅芯片采用雙梁結構，雙層惠斯通電橋布局，雙橋路相互補償，提高信噪比，達到最佳溫度特性。中間層弧角式懸浮，有效分解應力，實現超高過壓。

■ 1KPa…40MPa標準量程

1KPa，4KPa，40KPa，100KPa，200KPa，400KPa，4MPa，40MPa八個標準量程，涵蓋過程控制全壓力范圍。最小標準量程1KPa，保證微差壓段性能。

■ 全球 橋路電阻：10KΩ

有效控制溫度影響，保證輸出信號超高信噪比，功耗低。

■ 具有大過載的正負壓腔過壓性能

1KPa芯片過壓達1.5MPa（1500倍過壓）。

4KPa芯片過壓達2.5MPa（625倍過壓）。

絕大部分微壓力/差壓傳感器的應用可實現無保護膜片結構，提高整體準確度與靜壓特性，同時簡化傳感器結構、降低成本，讓利于用戶。

■ 芯片單晶硅層厚度達2.5mm

在硅芯片技術中，硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對芯片的成本和性能起到很關鍵的作用。而且統一的傳感器芯片材質，將更好的實現溫度特性，讓芯片在溫度變化時，應力特性一致。采用全單晶硅材質，尺寸與厚度都為行業內最大，不惜成本，注重品質。

■ 芯片結構的梅花鏡像布局

芯片惠斯通電橋與引線布局，采用梅花鏡像對稱布局。全對稱布局、均衡受力，減小噪聲來源，同時也方便一次封裝，提高穩定性與一致性。