TEM多/單窗格氮化硅膜

【基本信息】

中文名稱：TEM多窗格氮化硅膜、TEM單窗格氮化硅膜

純度：99.9%

材料：LPCVD 氮化硅薄膜

介電常數(shù)：6-7

介電強度：10（106 V/cm ）

電阻率：1016Ω-cm

粗糙度（Ra)：0.28±5%nm

楊氏模量：270GPa

粗糙度(Rms)：0.40±5%nm

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

規(guī)格：mg

用途：僅用于科研，不能用于人體

TEM多/單窗格氮化硅膜

【詳情描述】

TEM多窗格氮化硅膜指的是一種通過透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM）觀察的氮化硅薄膜，該薄膜具有多個窗格或柵格結(jié)構(gòu)。這涉及到納米技術(shù)和薄膜技術(shù)的領(lǐng)域。

TEM（透射電子顯微鏡）定義： TEM是一種高分辨率的電子顯微鏡，通過樣品中透射的電子來產(chǎn)生高分辨率的圖像。它廣泛用于觀察材料的納米尺度結(jié)構(gòu)。

多窗格氮化硅膜：

定義： 多窗格氮化硅膜指的是氮化硅薄膜中存在多個窗格或柵格結(jié)構(gòu)的材料。這些窗格可能具有不同的形狀、大小或分布。

這種薄膜的設(shè)計可能在納米電子學(xué)、傳感器、光電子學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮作用，具體應(yīng)用取決于窗格結(jié)構(gòu)的設(shè)計和薄膜的特性

TEM單窗格氮化硅膜指的是一種通過透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM）觀察的氮化硅薄膜，該薄膜具有單一窗格結(jié)構(gòu)。這涉及到納米技術(shù)和薄膜技術(shù)的領(lǐng)域。

單窗格氮化硅膜：單窗格氮化硅膜指的是氮化硅薄膜中存在單一窗格結(jié)構(gòu)的材料。這個窗格可能具有特定的形狀、大小或分布。

這種薄膜的設(shè)計可能在納米電子學(xué)、傳感器、光電子學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮作用，具體應(yīng)用取決于窗格結(jié)構(gòu)的設(shè)計和薄膜的特性。

【推薦產(chǎn)品】

硒化鉍(Bi2Se3)、CVD二維薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)、CVD二維薄膜

碲化銻(Sb2Te3)、CVD二維薄膜

鉍氧硒(Bi2O2Se)、CVD二維薄膜

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.31.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。