產地類別 | 進口 |
---|
歐姆龍P2RF-08-E模塊大量庫存
修技巧之三
用表檢測電路板
1.離線檢測
測出IC芯片各引腳對地之間的正,反電阻值.以此與好的IC芯片
進行比較,從而找到故障點.
2.在線檢測
1)直流電阻的檢測法
同離線檢測.但要注意:
(a)要斷開待測電路板上的電源;
(b)表內部電壓不得大于6V;
(c)測量時,要注意外圍的影響.如與IC芯片相連的電位器等.
2)直流工作電壓的測量法
測得IC芯片各腳直流電壓與正常值相比即可.但也要注意:
(a)表要有足夠大的內阻,數字表為;
(b)各電位器旋到中間位置;
(c)表筆或探頭要采取防滑措施,可用自行車氣門芯套在筆頭上,
并應長出筆尖約5mm;
(d)當測量值與正常值不相符時,應根據該引腳電壓,對IC芯片正
常值有無影響以及其它引腳電壓的相應變化進行分析;
(e)IC芯片引腳電壓會受外圍元器件的影響.當外圍有漏電,短路,
開路或變質等;
(f)IC芯片部分引腳異常時,則從偏離大的入手.先查外圍元器件,
則IC芯片損壞;
(g)對工作時有動態信號的電路板,有無信號IC芯片引腳電壓是不
同的.但若變化不正常則IC芯片可能已壞;
(h)對多種工作方式的設備,在不同工作方式時IC腳的電壓是不同
的.
3)交流工作電壓測試法
用帶有dB檔的表,對IC進行交流電壓近似值的測量.若沒有dB
檔,則可在正表筆串入一只0.1-0.5μF隔離直流電容.該方法適用
于工作頻率比較低的IC.但要注意這些信號將受固有頻率,波形不
同而不同.所以所測數據為近似值,僅供參考.
4)總電流測量法
通過測IC電源的總電流,來判別IC的好壞.由于IC內部大多數為直
流耦合,IC損壞時(如PN結擊穿或開路)會引起后級飽和與截止,使
歐姆龍P2RF-08-E模塊大量庫存
DRT2-OD16 | R88M-G4K510H-B-Z |
DCN1-3C | R88M-G4K510H-OS2-Z |
CS1W-CN713 | R88M-G4K510H-O-Z |
XWT-ID08 | R88M-G4K510H-S2-Z |
DRT2-OD08 | R88M-G4K510H-Z |
XWT-OD08 | R88M-G4K510T-BOS2-Z |
DRT2-AD04 | R88M-G4K510T-BO-Z |
DCN1-2C | R88M-G4K510T-BS2-Z |
S8VS-48024 | R88M-G4K510T-B-Z |
S8VS-24024 | R88M-G4K510T-OS2-Z |
3G3MX2-A4015-Z -CH | R88M-G4K510T-O-Z |
3G3MX2-A4040-Z -CH | R88M-G4K510T-S2-Z |
E2G-M18KS07-M1-D1-T | R88M-G4K510T-Z |
G2R-1-SN DC24(S) | R88M-G5K020H-BOS2-Z |
G2R-1-SND DC24(S) | R88M-G5K020H-BO-Z |
G2R-2-SND DC24(S) | R88M-G5K020H-BS2-Z |
G2R-2-SN AC220(S) | R88M-G5K020H-B-Z |
P2RF-08-E | R88M-G5K020H-OS2-Z |
P2RF-05-E | R88M-G5K020H-O-Z |
G6D-F4B DC24V | R88M-G5K020H-S2-Z |
NB5Q-TW00B | R88M-G5K020H-Z |
NB7W-TW00B | R88M-G5K020T-BOS2-Z |
NB10W-TW00B | R88M-G5K020T-BO-Z |
NB10W-TW01B | R88M-G5K020T-BS2-Z |
歐姆龍P2RF-08-E模塊大量庫存
電源的常見標準
MIL-STD-461為電氣設備設置了傳導和輻射發射限制,指導正確測量EMI。如果SMPS超出這些限制--它經常會--它將需要EMI濾波器將其“帶回規格”。但是,選擇任何現成的EMI濾波器并不一定會導致電源突然符合標準要求;該設備可能會非常嘈雜,以至于將任何EMI濾波器附加到輸入端仍然會導致該部件失敗。MIL-STD-461的各種要求及其描述可在表1中找到。符合MIL-STD-461的電子設備通常會列出滿足特定CE、CS和RE要求的詳細信息。