Purity:>99.995%
純進(jìn)口HQ graphene 硫化鈮晶體
參考價(jià) | ¥ 10300 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 上海基屹生物科技有限公司
- 品牌 先豐納米
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/23 12:53:20
- 訪問次數(shù) 5
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供貨周期 | 一個(gè)月 | 規(guī)格 | 盒 |
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貨號 | 101279 |
產(chǎn)品名稱
中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鈮晶體
英文名稱:HQ graphene NbS2 Crystal
產(chǎn)品概述
NbS2 (2H相)是具有Tc ~6K和電荷密度波(CDW)體系的超導(dǎo)體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。NbS2屬于v族過渡金屬二硫族(TMDC)。
NbS2 (2H phase) is superconductor with a Tc ~6K and a charge density waves (CDW) system. Note that NbS2 also exists in the 3R-NbS2 phase .The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. NbS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC).
The 2H NbS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2 cm, trigonal/hexagonal shaped and have a metallic appearance.
技術(shù)參數(shù)
純度: 99.995%
尺寸:~2mm
顏色: 灰黑色
產(chǎn)品特點(diǎn)
Electrical properties:Superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°
Type:Synthetic
應(yīng)用領(lǐng)域
在電子學(xué)領(lǐng)域:
場效應(yīng)晶體管(FET):硒化銦晶體由于其電學(xué)特性,如高載流子遷移率,可用于制造高性能的場效應(yīng)晶體管。例如,在柔性電子設(shè)備中,基于硒化銦晶體的 FET 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的信號傳輸和處理。
存儲(chǔ)器:其電阻可在不同條件下發(fā)生變化,這使得它有望應(yīng)用于非易失性存儲(chǔ)器,如阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。比如,在一些高密度存儲(chǔ)芯片中,硒化銦晶體可以作為存儲(chǔ)單元,實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)讀寫和長期的數(shù)據(jù)保存。
在光電領(lǐng)域:
光電探測器:對光具有較好的響應(yīng),可用于制造高性能的光電探測器。例如,在紅外光探測中,硒化銦晶體能夠?qū)⒐庑盘栟D(zhuǎn)換為電信號,應(yīng)用于安防監(jiān)控系統(tǒng)或通信系統(tǒng)。
太陽能電池:作為太陽能電池的吸收層材料,能夠有效地吸收太陽光并轉(zhuǎn)化為電能。比如,在新型薄膜太陽能電池中,硒化銦晶體可以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
在傳感器領(lǐng)域:
氣體傳感器:對某些特定氣體具有敏感性,可用于制造氣體傳感器來檢測環(huán)境中的有害氣體。例如,檢測一氧化碳、氨氣等氣體的濃度變化。
在納米技術(shù)領(lǐng)域:
納米器件:由于其在納米尺度下的特殊性質(zhì),可用于構(gòu)建納米級別的電子和光電子器件。比如,利用硒化銦晶體制造納米級的場效應(yīng)晶體管,實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更高性能的納米電路。