EVG610-單面、雙面光刻系統

是一款緊湊型多功能研發系統，可處理零碎片和大200 mm的晶圓。


一、簡介

      EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，非常適合大學和研發應用。


EVG610-單面、雙面光刻系統

二、EVG光刻機應用

      MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導體等方面的圖形光刻應用。


三、EVG光刻機特征

     晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

     頂部和底部對準功能

     高精度對準

     自動楔形補償序列

     電動的和程序控制的曝光間隙

     支持新的UV-LED技術

     小化系統占地面積和設施要求

     分步流程指引

     遠程技術支持

     多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同語言）

    敏捷的處理和轉換重新加工

     臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面

     附加功能：

        鍵合對準

        紅外對準

        納米壓印光刻（NIL）



四、技術參數


1.掩模版-基板-晶圓尺寸

      掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

      基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm

      晶圓厚度：高達10mm


2.對準模式

      頂部對準精度：≤ ± 0,5 µm

      底部對準精度：≤ ± 2,0 µm

      紅外對準模式：≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料


3.頂部顯微鏡

      移動范圍1：100mm（X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；）

      移動范圍2：150mm（X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；）

      移動范圍1：200mm（X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；）

      可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度


4.底部顯微鏡

      移動范圍1：100mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

      移動范圍2：150mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

      移動范圍1：200mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

      可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度


5.曝光器件

（1）波長范圍：

      NUV：350 - 450 nm

      DUV：低至200 nm (可選)

（2）光源：

      汞燈350W , 500W UV LED燈

（3）均勻性：

      150mm：≤ 3%

      200mm：≤ 4%

（4）濾光片：

      汞燈：機械式

      UV LED：軟件可調


6.曝光模式

      接觸：硬、軟接觸，真空

      曝光間隙：1 - 1000 µm

      線寬精度：1µm

      模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

      可選：內部，浸入，扇形


7.可選功能

      鍵合對準精度：≤ ± 2,0 µm

      納米壓抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 µm

      納米壓抑光刻（NIL）軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率


8.設施

      真空：< 150 mbar

      壓縮氣體：6 bar

      氮氣：可選2或者6 bar

      排氣要求：汞燈需要；LED不需要


9.系統方式

      系統：windows

      文件分享和軟件備份

      無限程序儲存，參數儲存在程序內

      支持多語言，含中文

      實時遠程支持，診斷和排除故障


10.楔形補償

      全自動- 軟件控制


11.規格

      占地面積：0.55m2

      高度：1.01m

      重量：約250kg


      納米壓印分辨率：≤ 40 nm（取決于模板和工藝）

      支持工藝：Soft UV-NIL