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單層黑磷溶液 詳細(xì)摘要： This product contains black phosphorus （BPs） mono- and few-layer flakes solution...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
高定向熱解石墨（美國(guó)） 詳細(xì)摘要： Highly oriented pyrolytic graphite is a zerogap semiconductor with metallic like...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor 所在地：上海市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
改性后的石墨烯量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要： 制備方法: 酸性回流成份：改性石墨烯量子點(diǎn)外觀：棕黑色溶液熒光色：藍(lán)色熒光量子產(chǎn)率：10 ± 2%粒徑：6 ± 3 nm濃度：1mg/ml,...
產(chǎn)品型號(hào)：IMGQD 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
改性后的石墨烯量子點(diǎn)粉末 詳細(xì)摘要： 制備方法: 熱解法成份：改性后的石墨烯量子點(diǎn)外觀：粉狀熒光色：藍(lán)色熒光量子產(chǎn)率：10 ± 2%粒徑：6 ± 3 nm電位：~+20mV純度：...
產(chǎn)品型號(hào)：IMGQDP 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
綠色熒光石墨烯量子點(diǎn) Green GQDs 詳細(xì)摘要： 綠色熒光石墨烯量子點(diǎn) Green GQDs制備方法：水熱法組成：綠色熒光石墨烯量子點(diǎn)外觀：無(wú)色溶液發(fā)光峰：530納米粒度：6納米濃度：1毫克/毫升（可高達(dá)20m...
產(chǎn)品型號(hào)：GG 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
CVD銅基多層氮化硼薄膜（2*2） 詳細(xì)摘要： Multilayer h-BN （Boron Nitride） film is grown onto 50 um thick copper foils. h-B...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
CVD銅基單層氮化硼薄膜 詳細(xì)摘要： Single layer h-BN （Boron Nitride） monolayer thick film is grown onto 50 um thick...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
h-BN Flakes Powder 氮化硼薄片粉末 詳細(xì)摘要： This product contains small crystallites of h-BN layered flakes that can be used...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
h-BN 氮化硼晶體 詳細(xì)摘要： Our h-BN crystals reach at most to 2mm in size and are considered as gold standa...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜 詳細(xì)摘要： Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates （p-do...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
基于銅基的單層氮化硼薄膜（5*2.5cm） 詳細(xì)摘要： Single layer h-BN （Boron Nitride） film grown in copper foil.h-BN is an insulator...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜 詳細(xì)摘要： Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates （p-do...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
基于銅基的多層氮化硼薄膜（52.5cm） 詳細(xì)摘要： Specifications:Close to complete coverage （90-95%）, with some minor holesAverage...
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CVD六方氮化硼薄膜（基底可選） 詳細(xì)摘要： 單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm基底：石英基底/PET基底/藍(lán)寶石基底/Sio2/Si單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm基底：石英基底/P...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
六方氮化硼晶體（20片裝） 詳細(xì)摘要： 六方氮化硼晶體（20片裝） hBN（Hexagonal Boron Nitride）-Crystal晶體尺寸：~1mm電學(xué)性能：絕緣體/半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
Monolayer h-BN Solution 單層氮化硼溶液 詳細(xì)摘要： This product contains h-BN mono- and few-layer flakes solution in ethanol.
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量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要： 量子點(diǎn)（quantum dot）是零維（zero-dimensional）的納米半導(dǎo)體材料。三個(gè)維度的尺寸都不大于其對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍，的性能...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
QD-LEDs應(yīng)用量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要： 特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液濃度：~20mg/ml，溶劑：正辛烷（可定制不同溶劑、濃度）直接用于旋涂工藝
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無(wú)重金屬ZnSeZnS量子點(diǎn)（HMF_ZnSeZnS QDs） 詳細(xì)摘要： ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)保“綠色"半導(dǎo)體納米材料，有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn)，作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
無(wú)重金屬I(mǎi)nP/ZnS量子點(diǎn)（HMF_InP/ZnS QDs） 詳細(xì)摘要： 由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：泰州市 更新時(shí)間：2025-05-07 參考價(jià)： 面議 在線留言