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詳細介紹
高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide
制備方法：改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑：1 ~ 5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
比表面積（BET）：100平方米/克
堆積密度：0.009g/cm3
體積密度：0.0052g/cm3
氧化石墨烯的元素組成
| Sample | N (wt %) | C (wt %) | O (wt %) | C/O at. ratio (wt %) |
| Graphene Oxide | 0 | 51.26 | 40.78 | 1.67 |
Photos of High Surface Area Graphene Oxide
*TEM of High Surface Area Graphene Oxide
*AFM of High Surface Area Graphene Oxide
高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide
制備方法：改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑：1 ~ 5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
比表面積（BET）：100平方米/克
堆積密度：0.009g/cm3
體積密度：0.0052g/cm3
High Surface Area Graphene Oxide
制備方法：改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑：1 ~ 5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
比表面積（BET）：100平方米/克
堆積密度：0.009g/cm3
體積密度：0.0052g/cm3
High Surface Area Graphene Oxide
制備方法：改良的H法
高表面積氧化石墨烯
直徑：1 ~ 5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
比表面積（BET）：100平方米/克
堆積密度：0.009g/cm3
體積密度：0.0052g/cm3
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