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詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料

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詳細摘要： 硅/二氧化硅晶片（5片）Wafers - Silicon/Silicon Dioxide Wafer

詳細摘要： 新加坡BondaTek是一家微系統科技公司，主要提供半導體材料在精細領域內的專業服務和技術支持，以及其他相關生物醫學設備及微機電系統。

詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料。

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詳細摘要： 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域稱為異質結，低維材料在線可以定制不同層數和結構的異質結材料。

詳細摘要： Silicon 100mm diameter, P/Boron, （100） 1-10 ohm-cm 500um SSP SEMI Prime Grade, B...

詳細摘要： Spectrum 電學測試性底座044 LDCCMfg Dwg: PB-12941-D-JMI Cav: .300 x .300 D/A Plating: AU...

詳細摘要： Spectrum 電學測試性底座044 LDCC Mfg Dwg: SD-560-9185-A Cav: .340 x .340 D/A Plating: AU...

詳細摘要： 碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b ...

詳細摘要： CVD石墨烯銅箔 Copper foil尺寸：10*20cm純度：99.99%厚度：46um寬度：25cm（10片起售）

詳細摘要： 二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.395 nm, ...

詳細摘要： 二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學特性：金屬晶體結構：單斜晶系晶胞參數：a = 0.621 ...

詳細摘要： 二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米電學性能：金屬，半導體（TC ~ 0.7k）晶體結構：單斜晶系，C晶胞參數：a＝...

詳細摘要： 二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.377 nm...

詳細摘要： 產品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）生長方式：直拉單晶（CZ）熱氧化工藝直徑與公差：100±0.4mm摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（...

詳細摘要： 本產品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線，石墨烯*的性質可以增強銅線本身的導電性，支持定制。