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高光產(chǎn)品 | 卡博萊特?蓋羅布里奇曼晶體生長爐簡介 (上篇)

閱讀:1075      發(fā)布時間:2023-3-17
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晶體生長技術(shù)是利用物質(zhì)(液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài))的物理化學(xué)性質(zhì)控制相變過程,獲得具有一定結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀和性能的晶體的技術(shù)。

現(xiàn)在,人工合成晶體應(yīng)用越來越廣泛,已經(jīng)成為國民經(jīng)濟和國防科技發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)。除了人們比較熟悉的水晶、寶石等裝飾用晶體之外,其他如激光晶體、半導(dǎo)體晶體、光電子晶體、非線性光學(xué)晶體、超導(dǎo)單晶、鐵電壓電晶體、金屬單晶材料等晶體材料的發(fā)展,為科學(xué)進步和人類生活水平提高做出了巨大貢獻。

什么是布里奇曼法晶體生長技術(shù)?

Bridgeman布里奇曼法晶體生長技術(shù)是由Bridgeman早就在1925年提出的,是將預(yù)合成材料放入具有單向溫度梯度的生長爐內(nèi)緩慢地下降,熔融的原料在經(jīng)過溫度梯度區(qū)域后,熔體因為溫度降至熔點以下而冷卻結(jié)晶,隨著坩堝的移動,原料將結(jié)晶為整塊單晶體。布里奇曼晶體生長法經(jīng)過幾十年的發(fā)展和演變已日趨成熟,具有成本低、用途廣、適應(yīng)性強和設(shè)備簡便等優(yōu)點,因而被廣泛用于晶體生長領(lǐng)域,尤其適用一致熔融,另外,預(yù)合成的原料密封在特制的坩堝內(nèi),避免了原料的揮發(fā)和泄露,使晶體的成分容易控制,并且管內(nèi)可實線高真空,避免了氧氣等不確定反應(yīng)的發(fā)生。


Carbolite Gero在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域有超過三十年的經(jīng)驗,針對布里奇曼晶體生長技術(shù),專門研發(fā)了布里奇曼晶體生長爐,已在國內(nèi)外有很多成功的經(jīng)驗和案例,助力很多實驗室生產(chǎn)高質(zhì)量的單晶,推動了化合物半導(dǎo)體,拓撲絕緣體,凝聚態(tài)物理中熵合金高熵合金的晶體生長工作。


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