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首頁>>中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>產品展示>>晶體產品>>Ⅲ-Ⅴ族晶體基片

  • 氮化鎵（GaN）晶體基片 參考價：面議

    GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子...
    型號： GaN 廠商性質：生產商所在地：合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:53:003109

  • 進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片 參考價：面議

    進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片
    型號： （MgAl2O4） 廠商性質：生產商所在地：合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:51:252673

  • 鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片 參考價：面議

    鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片
    型號： （MgAl2O4） 廠商性質：生產商所在地：合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:49:072568

  • 鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片 參考價：面議

    鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難...
    型號： （MgAl2O4） 廠商性質：生產商所在地：合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 9:47:144438

  • AL2O3晶棒 參考價：面議

    AL2O3晶棒
    型號： 廠商性質：生產商所在地：合肥市 對比
    MTI科晶集團合肥科晶江曉平
    2025/2/11 8:26:362310
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