深能級瞬態(tài)譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關聯(lián)模式）、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trapprofiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T)、C/V,C/V(T)、TSC/TSCAP、光子誘導瞬態(tài)譜、DLOS。
測試根據(jù)半導體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C~t）技術和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。
深能級瞬態(tài)譜儀功能特色：
1、測試功能多樣。
2、測試溫度范圍大。
3、包括傅里葉轉(zhuǎn)換，Laplace轉(zhuǎn)換和多指數(shù)擬合等技術。
4、具有較高的能量分辨率。
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