IC封裝可靠性測試-冷熱沖擊試驗箱概述

1.近年來隨著我國半導體制造業的不斷壯大，對IC芯片的制備工藝及品質要求更加精密，同步配套的TC設備逐漸國產化，在此機會下，東莞中科測試設備有限公司研制出與100萬級無塵車間制備工藝匹配的可靠性試驗設備（冷熱沖擊試驗箱）。

2.控制系統：中英文菜單式人機對話操作方式，有開機自檢功能、溫度線性校正、自動停機、系統預約定時啟動功能；實現工業自動化，帶數據交互功能，能與客戶主機鏈接實現遠程監控，了解設備與試驗運行狀態，可以通過任何移動終端監控。

3.低溫儲存室：箱內溫度狀態由風道中的加熱器、蒸發器以及風機的工作狀態決定，制冷劑經過膨脹閥節流進入低溫儲存室內蒸發器后，吸收低溫儲存室內熱量并氣化，使低溫儲存室溫度降低；氣化后的工質被壓縮機吸入并壓縮成高溫、高壓氣體進入冷凝器中被冷凝成液體，再經過濾器，后通過膨脹閥節流后，重新又進入低溫儲存室內蒸發器中吸熱并氣化然后再被壓縮機吸入壓縮。如此往復循環工作，使低溫儲存室降到設置的溫度要求。

4.高溫儲存室：中央控制器從感溫組件檢測實時信號，與設定溫度信號進行比較，得到比較信號，由儀表PID邏輯電路輸出信號控制固態繼電器的導通或關斷的時間比例調節加熱器輸出功率大小，從而達到自動控溫的目的。

5.沖擊溫度測試室：由儀表自動控制高低溫氣閥，在低溫或高溫儲存室之間切換，分別與高溫箱或低溫箱形成閉路空氣循環系統，迅速達到試驗的目標溫度。

IC封裝可靠性測試-冷熱沖擊試驗箱技術新能

1.溫度沖擊范圍：-40℃～+150℃；-55℃～+150℃；-65℃～+150℃。（高溫可定制：+250℃）

2.高低溫區溫度范圍：

A.高溫蓄能區：室溫～+155℃。（定制性：室溫～+215℃）

B.低溫蓄能區：室溫～-55℃；室溫～-70℃；室溫～-80℃。

3.測試區溫度范圍：

A.高溫沖擊溫度范圍：+50℃～+150℃。（定制型：+50℃～+200℃）

B.低溫沖擊溫度范圍：-10℃～-40℃；-10℃～-55℃；-10℃～-65℃。

C.溫度波動度：±0.5℃。

D.溫度均勻度：±2.0℃。

4.高低溫測試區溫度恢復和轉換時間：≤5分鐘。（可定制溫變速率為：10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變）

5.試驗測試溫度范圍：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-55℃～+125℃。（可根據試驗要求選擇溫度范圍）

6.試驗測試方式：高低溫沖擊試驗、冷熱沖擊試驗、高低溫恒定試驗、高低溫交變沖擊試驗。

7.試品重量：8 KG（可訂制其他規格）。

8.使用電源：AC3∮5W 380V±10% ；50HZ。

9.重量約：480KG。

10.在無試驗負荷、無層架情況下穩定20分鐘后測定的性能。

11.溫度均勻度定義為：實驗機幾何中心點處（計量單位空間9點測溫法）。

12.設備制造標準：GB/T10586-2006，GB/T10592-1989。

13.設備檢定標準：GB/T5170.2-1996，GB/T5170.5-1996。

14.設備的型號和規格選擇如下：

 型 號          內箱尺寸（mm）        外箱尺寸（mm）

ZK-TS -80L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-120L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-150L       W500×H600×D500      W850×H1680×D1250

ZK-TS-225L       W500×H750×D600      W850×H1880×D1350

ZK-TS-408L       W600×H850×D800      W900×H1980×D1550

ZK-TS-800L       W800×H1000×D1000     W1100×H2150×D1650

ZK-TS-1000L      W1000×H1000×D1000    W1300×H2150×D1650

可按需求尺寸非標定制......

冷熱沖擊試驗箱測試執行與滿足標準

1.GB2423.2-2008（IEC68-2-2）試驗B：高溫試驗方法。

2.GJB150.3A-2009（MIL-STD-810D）高溫試驗方法。

3.GB/T2423.1-1989 低溫試驗方法。

4.GB/T2423.2-1989 高溫試驗方法。

5.GB/T2423.22-1989 溫度變化試驗。

6.GJB150.5-86 溫度沖擊試驗。

7.GJB360.7-87 溫度沖擊試驗。

8.GJB367.2-87 405 溫度沖擊試驗。

9.國軍標 GJB150.3-2009/GJB150.4-2009。