本儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器采用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準確地鑒定出導電型號。
適用范圍
適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門子法、硅烷法等生產多晶硅料的企業
適用于物理提生產多晶硅料生產企業
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業
產品特點
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，   測量的高精度和寬的量程范圍
雙數字表結構使測量，操作簡便
具有的測試數據查詢及打印功能
測量系統可實現自動換向測量、求平均值、大值、小值、平均百分變化率等
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高
采用進口元器件，留有大的系數，提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結果的準確性
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
參數
測量范圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm    硅≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功    耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環境：溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%