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| 射頻ICP薄膜沉積裝置型號(hào)：YQ-DHIP-1 | 貨號(hào)：ZH5495 |
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。 通過(guò)本實(shí)驗(yàn)裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）；理解CVD的成膜過(guò)程及要求，化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理，等離子體CVD的原理、特點(diǎn)及等離子體的激勵(lì)方式；了解該在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。 可開(kāi)設(shè)的實(shí)驗(yàn) 1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用； 2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備； 3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。 主要參數(shù) 1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；尺寸：Φ220×H230mm； 2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa； 3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz； 4、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制（可選配流量計(jì)）； 5、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控； 6、平行板電：Φ70mm； 7、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機(jī)械泵，4L/S，單相220V交流電源供電； 9、管道、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管； 10、對(duì)過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警，并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施； 11、供電電源：AC220V，50Hz，整機(jī)功率2KW。 |  |
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