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量測系統: 薄膜曲率應力測量儀

檢測系統: 飛行時間二次離子質譜儀

刻蝕系統: RIE反應離子刻蝕系統 ICP及DRIE刻蝕系統 IBE離子束刻蝕系統 RIE-PE刻蝕機

沉積系統: 進口光學鍍膜機 TE熱蒸發鍍膜系統 E-Beam電子束蒸發系統磁控濺射系統 PECVD等離子化學氣相沉積系統 PLD脈沖激光沉積

生長系統: MOCVD設備 ALD原子層沉積系統 MOVPE設備

清洗去膠系統: 等離子去膠清洗及灰化系統單晶圓/掩模版兆聲清洗機大基片清洗/去膠/濕法刻蝕 MW微波等離子清洗去膠系統離子束清洗系統研發用等離子去膠機

熱真空試驗系統: 熱真空試驗箱熱真空環境模擬試驗設備空間環境模擬試驗設備熱真空系統

核心組件: Platens樣品臺等離子體源

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淋浴頭氣流的平面ICP離子源應用于ALD系統

時間：2017/9/14閱讀：3846

繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統，ICPECVD沉積系統，PA-MOCVD生長系統之后，該ICP離子源順利應用于ALD系統。

由于該型技術設計的ICP源為平面設計的遠程等離子源，可以在更低電源下達到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優勢，確保了該ALD系統具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達到兩倍以上）的先進性能。此外，可以實現低溫（100度以內）的薄膜生長。