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NMC-4000(M)PA-MOCVD設備
  • NMC-4000(M)PA-MOCVD設備
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貨物所在地:國外

地: 美國

更新時間:2024-11-01 21:00:08

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NMC-4000(M)PA-MOCVD設備:針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7Torr極限真空)、PC全自動控制。

等離子輔助MOCVD技術

NMC-4000(M)PA-MOCVD設備概述:

NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7Torr極限真空)、PC全自動控制,*的安全互鎖。

目前,這項技術延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統,該系統可以集成到集群配置中以滿足高產量的要求。

NMC-4000(M)PA-MOCVD設備應用:

  • Green LED’s (GaN, InGaN, AlGaN, ...)

特點:

  • 獨立系統
  • 14”不銹鋼立方體腔體
  • 1次在8”樣品臺上處理16”晶圓片或在12”樣品臺上處理54”片子
  • 加熱的氣體管路
  • RF等離子源,自動調諧
  • 淋浴頭氣體分布
  • 1100°C的旋轉樣品臺
  • N2沖洗
  • 手動放置晶圓片

Features:

  • Stand Alone System
  • 14” Stainless Steel Cube Chamber
  • One 6” Wafer with 8” Platen or five 4” Wafers on 12” platen
  • Heated Gas Lines
  • RF Plasma Source with Auto Tuner
  • Shower Head Gas Distribution
  • 1100 °C Platen, Rotating
  • N2 Flush
  • Manual wafer Loading and Unloading 

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