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琉化鋅晶體光學材料
  • 琉化鋅晶體光學材料
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貨物所在地:上海上海市

更新時間:2025-04-27 21:00:08

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琉化鋅晶體光學材料:作為一個重要的二,六化合物半導體,硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注,不僅因為其出色的物理特性,如能帶隙寬,高折射率,高透光率在可見光范圍內,而且其巨大的潛力應用光學,電子和光電子器件。

琉化鋅晶體光學材料作為一個重要的二,六化合物半導體,硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注,不僅因為其出色的物理特性,如能帶隙寬,高折射率,高透光率在可見光范圍內,而且其巨大的潛力應用光學,電子和光電子器件。硫化鋅具有優良的熒光效應及電致發光功能,納米硫化鋅更具有的光電效應,在電學、磁學、光學、力學和催化等領域呈現出許多優異的性能,因此納米硫化鋅的研究引起了更多人的重視,尤其是1994年Bhargava報道了經表面鈍化處理的納米ZnS:Mn熒光粉在高溫下不僅有高達18% 的外量子效率,其熒光壽命縮短了5個數量級,而且發光性能有了很大的變化,更為ZnS在材料中的應用開辟了一條新途徑。可用于制白色的顏料及玻璃、發光粉、橡膠、塑料、發光油漆等。



Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation. 


琉化鋅晶體光學材料Basic properties

Structure:Cubic (zincblende)
Density: 4.08 g/ cm3
Knoop Hardness:210 kg/ mm2
Young’s Modulus:10.8 Mpsi
Poisson Ratio:0.27
Coef. of Thermal Expansion:6.8×10-6/K
Specific Heat:0.469 J/gK
Thermal conductivity (at 25 °C):0.16 W/cmK
Max. Transmittance (λ=7-12 μm):≥ 71 %
Absorption Coef. (λ=10.6 μm):≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)
Thermo-Optic Coef. (dn/dT):4.7 (λ =10.6 μm)
Refractive index (λ=10.6 μm):2.34
Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):2×10-12 m/V
Max. crystal diameter/length:?38×30 mm

ZnS Transmission




Products

ZnS rods, wafers and substrates


Diameter/Width1-38 mm
Thickness/length0.1-150 mm
Orientation(110)
Surface qualityAs-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

ZnS crystal pieces for vapour deposition.

Purity99.995%, 99.999%
Particle size0.01- 10 mm


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