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詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID230 紅外單光子探測(cè)器產(chǎn)品特點(diǎn)：

◆900-1700納米
◆很低的暗計(jì)數(shù)率
在量子效率為10％<25 Hz
在量子效率為20％時(shí)<100 Hz
◆可調(diào)量子效率高達(dá)25％
◆<100 ps定時(shí)分辨率
◆可調(diào)節(jié)

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID221紅外單光子探測(cè)器產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆異步探測(cè)模式（自由運(yùn)行）
◆10％-15％-20％光子探測(cè)概率
◆1μs-25μs可調(diào)節(jié)死時(shí)間
◆時(shí)間分辨率低至150 ps
◆低暗計(jì)數(shù)率和后脈沖
◆SMF或MMF62.5光輸入
◆SMA連接器上的1

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID150可見(jiàn)光8通道單光子探測(cè)器產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆1x8線性陣列，獨(dú)立輸出
◆像素有效面積為40x40μm2
◆中心距為60μm
◆很低的時(shí)間分辨率（40 ps）
◆低死區(qū)時(shí)間（45 ns）和暗計(jì)數(shù)率
◆峰值光子檢測(cè)在λ= 500nm
◆

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID120可見(jiàn)光近紅外單光子探測(cè)器產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆@650nm量子效率為60％
◆@800nm量子效率為80％
◆可調(diào)量子效率
◆二極管的溫度可調(diào)
◆可調(diào)節(jié)的死時(shí)間
◆通用雙輸出
◆Labview界面
◆C-mount，SM1，cage兼容<

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID101可見(jiàn)光OEM單光子探測(cè)器產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆非常小的時(shí)間分辨率（40 ps）
◆較低死時(shí)間（45 ns）
◆峰值光子探測(cè)在λ= 500nm
◆有效面積直徑為20μm或50μm
◆自由空間，單模或多模光纖耦合
◆強(qiáng)光照射不會(huì)損壞

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID100可見(jiàn)光單光子探測(cè)器系列由緊湊而廉價(jià)的基于硅雪崩光電二極管單光子探測(cè)器模塊組成，具有非常小的時(shí)間分辨率和暗計(jì)數(shù)率，，在可見(jiàn)光譜范圍為:350 - 900 nm。△自由空間模塊，ID100-20和ID100-50分別具有20μm和50μm的光敏區(qū)。△光纖耦合模塊

詳細(xì)摘要：美國(guó)infrared液氮制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（1um-26um）
InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb紅外探測(cè)器.公司成立時(shí)總部位于新澤西,1997年公司經(jīng)過(guò)革新,總部搬到佛羅里達(dá).
InfraRed提供各種制冷方式的HgCdTe和InSb

詳細(xì)摘要：vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um），波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號(hào)。VIGO紅外探測(cè)器符合ISO9000標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量

詳細(xì)摘要：vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號(hào)。VIGO紅外探測(cè)器符合ISO9000標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量體系

詳細(xì)摘要：vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號(hào)。VIGO紅外探測(cè)器符合ISO9000標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量體系，

詳細(xì)摘要：美國(guó)GPD鍺Ge光電探測(cè)器（0.5um-1.8um）
GPD公司介紹
GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-I-N管、大面元光電探測(cè)器，并且能夠根據(jù)客戶的需求定制。

詳細(xì)摘要：GPD公司介紹
美國(guó)GPD銦鎵砷InGaAs光電探測(cè)器（0.5um-2.6um），GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-I-N管、大面元光電探測(cè)器，并且能夠根據(jù)客戶的需求定制。

詳細(xì)摘要：美國(guó)EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:
簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備

詳細(xì)摘要：InfraRed 公司成立于1976年,自成立起一直提供 HgCdTe和 and InSb紅外探測(cè)器.公司成立時(shí)總部位于新澤西,美國(guó)infrared銻化銦光電探測(cè)器（1um-5.5um）
InfraRed提供各種制冷方式的HgCdTe和InSb 探測(cè)器,包括液氮制冷,斯特林制冷和熱電點(diǎn)制冷.另外, InfraRed

詳細(xì)摘要：自1983年成立以來(lái)，美國(guó)EOS公司已發(fā)展成為一個(gè)獨(dú)立的原始設(shè)備制造商。其主要的產(chǎn)品有探測(cè)器/光電元件，探測(cè)器組件，以及自訂儀器，涵蓋完整的紫外/可見(jiàn)---40微米光譜區(qū)域。
EOS探測(cè)器組件生產(chǎn)線是由各種不同的原材料的光電二極管和光電導(dǎo)體組成，可以很

詳細(xì)摘要：IFW成立于1981年，是專業(yè)生產(chǎn)SIC紫外探測(cè)器的一家公司，擁有20多年的歷史。產(chǎn)品種類，多達(dá)100多種，相對(duì)于Si，金剛石薄膜，TiO2，鉆石等紫外探測(cè)器，擁有巨大的優(yōu)勢(shì)！是您紫外探測(cè)應(yīng)用的*產(chǎn)品！
產(chǎn)品特點(diǎn)：光譜響應(yīng)范圍*于200-400nm 或 （210-380nm）,不

詳細(xì)摘要：CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)銷售商的機(jī)械設(shè)

詳細(xì)摘要：CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此二維銦鉀砷面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm，目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合，同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。同時(shí)，我們可以

詳細(xì)摘要：瑞士IDQ公司ID101OEM可見(jiàn)光單光子計(jì)數(shù)器專為大批量OEM應(yīng)用而設(shè)計(jì)，是市場(chǎng)上體積小，非常可靠，效率*的單光子探測(cè)器。 它由一個(gè)CMOS硅芯片封裝在標(biāo)準(zhǔn)TO5-8pin引腳頭中，帶有透明窗口蓋。 該芯片結(jié)合了20μm（ID101-20）或50μm直徑（ID101-50）單光子雪崩二極

詳細(xì)摘要：I瑞士IDQ公司超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器系統(tǒng)由超導(dǎo)納米線探測(cè)器、高性能電子器件和可靠的低溫系統(tǒng)組成。該系統(tǒng)運(yùn)行在0.8 K，85%的量子效率，無(wú)后脈沖。