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本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉拋光樣品臺制備IC芯片。文中樣品很好地說明了徠卡三離子束切割儀中旋轉拋光平臺的概念。即使遇到直徑達38 mm的樣品的時候,表面能處理的區域也能達到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機械拋光,因此建議在離子束拋光前的機械拋光盡量做得好一些,在50倍的光鏡下看不見劃痕為宜。
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