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天津市電纜總廠橡塑電纜廠

當前位置:天津市電纜總廠橡塑電纜廠>>通訊電纜>>RS485 4*2*2.5雙絞屏蔽電纜 通信線

雙絞屏蔽電纜 通信線

參   考   價: ¥ 6

訂  貨  量: ≥100米

具體成交價以合同協議為準

產品型號:RS485 4*2*2.5

品       牌:銀順

廠商性質:生產商

所  在  地:廊坊市

更新時間:2025-05-20 10:33:15瀏覽次數:47

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產地類別 國產 電動機功率 660kW
電線最大外徑 46mm 護套材質 聚乙烯
凈重 88 絕緣厚度 35mm
外形尺寸 圓形mm 線芯材質 紫銅
芯數 (2~37)×(0.5~2.5)mm2 應用領域 地礦,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
重量 55kg 護套 采用普通紫色PVC護套料擠包
編織 :采用鍍錫編織屏蔽 導體 采用多股鍍錫銅絲絞和導體
雙絞屏蔽電纜 通信線RS-485通訊電纜在一般場合采用雙絞線就可以,但在要求比較高的環境下可以采用帶屏蔽層的雙絞電纜。在使用RS485通訊時,對于特定的傳輸線路,主機(召測設備)到儀表的485口間的電纜長度與數據信號傳輸的波特率成反比;這個長度主要受信號的失真以及噪聲的影響所影響。理論上RS485的傳輸距離能達到1200米,但實際應用中傳輸距離要小于1200米,具體長度受周圍的環境影響

雙絞屏蔽電纜 通信線雙絞屏蔽電纜 通信線

天津【銀順】牌電纜在過去40多年的實踐過程中尤其是在煤礦用阻燃電纜阻燃性的試驗方法和判定規則(MT 386-1995MT386-2011)煤礦用電纜的阻燃性能得到有效的控制和提高。

一、RS485電纜型號規格及參數型號規格,導體結構 導體直徑 絕緣標稱厚度 緣外徑 成纜后外徑 編制及屏蔽后外徑 護套厚度及外徑
二、RS485電纜主要技術要求
1
、導體:采用多股鍍錫銅絲絞和導體。導體表面無油污、無灰塵等缺陷。導體直流電阻要符合標準規定。
2
、絕緣:采用普通PVC絕緣料擠包,絕緣表面需光滑圓整,不得有自然收縮現象,絕緣線芯直徑應嚴格按本工藝生產,絕緣線芯分色根據客戶需求。
3
、將絕緣線芯絞和成纜,成纜外徑要圓整,節距均勻一致,線芯外用聚酯帶重疊繞包扎緊。
4
、加7/0.15鍍錫絲作引流地線,然后加鋁塑復合帶中包。
5
、編織:采用鍍錫編織屏蔽,屏蔽密度一般為60%或者80%,編織層要求光滑、無毛刺、無漏編、無油污等明顯質量缺陷。
6
、護套:采用普通紫色PVC護套料擠包,護套表面光滑、圓整。
7
、印字:護套印型號規格(RS458 1*2*24AWG;印字清晰耐擦,印字:白色。(如有特殊需要由需方提供)
三、 RS485電纜適用特性
1
、兼顧傳輸音頻信號和固定敷設的鐵路信號。
2
、抗干擾性能優異。
3
、既能分開單對使用,也能多對同時使用,傳輸多路信號特別優異。
4
、可部分傳輸動力、 鐵路信號電纜的使用特性與結構
四、型號、名稱、工作條件
1
本產品適用于交流額定電壓500V或直照明、電動工具等所必須的電源,還能同時傳輸各種控制信號。流電壓1000V及以下傳輸音頻信號,以及固定敷設的鐵路信號和某些自動裝置用傳輸控制線路。
2
、額定電壓:交流500V、直流1000V
3
、電纜導體的允許工作溫度為70,電纜長期允許的環境溫度-40~60
4
、電纜敷設時的環境溫度:聚纜應不低于0,聚乙烯護套電纜不低于-105、電纜敷設時最小彎曲半徑:應不小于電纜外徑的15倍。

存放電纜,需注意幾下幾點:

 1.新進的整盤電纜在出廠時,其兩頭均使用塑料密封套封住,但在施工現場根據實際情況用去一段之后,剩下的部分就用塑料布簡單包扎一下斷口,由于平時露天擺放且密封不好,日子一久,難免就會有水汽滲入電纜。
2.
電纜敷設時,需要經常穿越道路、橋梁和涵洞等,由于天氣或其他原因,電纜溝內也時常積聚了許多的水,敷設過程中,不可避免的會出現電纜頭浸在水中的情況,因塑料布包扎不嚴或破損而使水進入電纜;另外在牽引和穿管時,有時也會發生外護套甚至鋼鎧被刮壞現象,當使用機械牽引時,這種現象尤為突出.
3.
電纜敷設完成后,因現場施工條件限制未能及時進行電纜頭制作,使未經密封處理的電纜斷口長期暴露在空氣中,甚至浸在水中,使水汽大量進入電纜。
4.
在電纜頭制作過程中(包括終端頭和中間接頭),由于施工人員的疏忽大意,新處理的電纜端頭有時會不小心掉入現場的積水中。
5.
電線電纜正常運行中,如果因某種原因發生擊穿等故障時,電纜溝中的積水便會沿著故障點進入電纜內部;在土建施工中,尤其是在使用大型建筑機械的建筑工地,因各種人為因素而引起的電纜破損或擊穿事故,也屢見不鮮。當發生此類事故時,電纜絕緣遭嚴重破壞,也會造成電纜進水。電纜進水后,在電場的作用下,會發生水樹老化現象,最后導致電纜擊穿。水樹是直徑在0.1m到幾微米充滿水的空隙集合。絕緣中存在的雜質、氣孔及絕緣與內外半導電層結合面的不均勻處所形成的局部高電場部位是發生水樹的起點。


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