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厚度影響因素

1。基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3. 蒸發功率，速率

4. 真空度

5. 鍍膜時間，厚度大小。

組分均勻性

蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性

1。晶格匹配度

2。 基片溫度

3。蒸發速率

鍍膜材料

編輯

氧化物

一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

氟化物

氟化釹NbF3,氟化鋇BaF2，氟化鈰CeF3，氟化鎂MgF2，氟化鑭LaF3，氟化釔YF3，氟化鐿YbF3，氟化鉺ErF3等高純氟化物。

其它化合物

硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，硫化鎘CdS等真空鍍膜材料。

金屬鍍膜材料

高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純鉭TA，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，銅銦鎵合金CuInGa，銅銦鎵硒合金CuInGaSe，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料

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