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貨物所在地：廣東深圳市
更新時(shí)間：2025-04-06 21:00:08
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nanoplus InGaAsSb 光電二極管
nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長(zhǎng)銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，峰值波長(zhǎng)為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm和?3mm，具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點(diǎn)，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過(guò)程控制和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。
nanoplus InGaAsSb 光電二極管主要特點(diǎn)
波長(zhǎng)范圍1000nm-2600nm
?1mm，?2mm和?3mm有效面積
采用TO5封裝，帶或不帶制冷器
高靈敏度氣體分析
過(guò)程控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)
各種分析儀器等
nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數(shù)特性：
| 主要參數(shù)特性 (T = 25 °C) | 符號(hào) | 單位 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| Spectral response range | I | nm | 1000-2600 |
| Peak sensitivity wavelength | Ip | nm | 1880 |
| Peak responsivity | Rp | A/W | 0.66 |
| Dark current without bias | ID | nA | 95 |
| Junction capacitance | CJ | pF | 41 |
| Shunt resistance | Rsh | Ω | 17 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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