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半導(dǎo)體是構(gòu)成電子電路的基本元件，經(jīng)過不同的工藝加工之后，半導(dǎo)體會表現(xiàn)除不同的特征，在此主要介紹半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體、PN結(jié)。

1.半導(dǎo)體

絕緣體和導(dǎo)體是我們很熟悉的東西。半導(dǎo)體則是導(dǎo)電性能上面低于導(dǎo)體高于絕緣體的這么一個東東。本質(zhì)上物質(zhì)的導(dǎo)電性能決定于原子結(jié)構(gòu)，原子最外層電子極易與掙脫原子核的束縛成為自由電子（導(dǎo)體），最外層電子很難掙脫束縛（絕緣體），處在二者之間的即為半導(dǎo)體。

2.本征半導(dǎo)體

經(jīng)過一定的工藝將半導(dǎo)體做成原子結(jié)構(gòu)很規(guī)整的結(jié)構(gòu)就是本征半導(dǎo)體了。這種排列整齊的原子結(jié)構(gòu)中，每個原子核外層都圍繞著的電子。原子與原子之間也是有規(guī)整的相互緊挨著。原子之間就出現(xiàn)了共用電子，這種的共同電子稱為共價鍵。

如果這種共價鍵掙脫了束縛，變成了自由電子。那么原來的k共價鍵的位置就是空的了，稱為空穴。自由電子是帶電的，與此同時最初的原子結(jié)構(gòu)是原子核和核外電子相互制衡的，現(xiàn)在共價鍵掙脫了束縛，相互制衡的狀態(tài)就被打破了，所以空穴也是帶電的。

如果在本征半導(dǎo)體兩端加一個電廠，自由電子將會按照一個定向的方向移動，而在這個方向上的空穴，會被移動過來的自由電子填充，如果以自由電子當(dāng)作參考點，相對的看，也可以認(rèn)為空穴按照相反的方向運動。y自由電子和空穴帶的電荷極性是相反的，所以，本征半導(dǎo)體中的電流是兩個電流之和。

3.雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中參入雜質(zhì)就變成了雜質(zhì)半導(dǎo)體。參入的雜質(zhì)的不同，半導(dǎo)體就被分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

以硅材料的半導(dǎo)體為例。硅原子本質(zhì)是四價元素，如果參入了五價元素就變成了N型半導(dǎo)體，參入三價元素就變成了P型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體，由于參入的是五價元素，也就是一個原子核的外邊有五個電子。硅原子的核外電子只有四個，相比于硅元素，多出來一個電子。那么自由電子就是多數(shù)N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子。同樣的P型半導(dǎo)體參入的是三價元素，相比于硅元素少一個電子，y也就是多一個空穴。那么P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子就是空穴。

無論是P型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能都相比于過去變強了。

4.PN結(jié)

如果通過特殊工藝，將一個硅片一半做成P型半導(dǎo)體，另一半做成N型半導(dǎo)體。那么P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交界面就是PN結(jié)了。

上面有講到什么來著，N型半導(dǎo)體是通過往本征半導(dǎo)體中參入五價元素形成的，P型半導(dǎo)體是通過往本征半導(dǎo)體中參入三價元素形成的。也就是說N型半導(dǎo)體多了很多自由電子（多數(shù)載流子），P型半導(dǎo)體多了很多空穴（多數(shù)載流子）。那么此時，一半硅片上面多出來很多自由電子，一半硅片上面多出來很多空穴。物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動（擴(kuò)散運動）。N區(qū)自由電子必然會

往P區(qū)擴(kuò)散，相對的P區(qū)的空穴也會往N區(qū)擴(kuò)散，經(jīng)過擴(kuò)散作用導(dǎo)致空穴與自由電子相互復(fù)合，所以交界面附近多數(shù)載流子的濃度就會下降。經(jīng)過長時間的

擴(kuò)散運動，PN結(jié)會達(dá)到動態(tài)平衡，但是如果在PN結(jié)兩端加上電壓，這種平衡就會被破壞，外加電壓的機(jī)型不同，PN結(jié)表現(xiàn)出截然不同的導(dǎo)電性（原因，P

N區(qū)多數(shù)載流子分別是不同的，如果電壓加反了，本身就缺少的東東，還要往另一個方送，另一方恰恰最不缺的就是這個東東，動動腦筋）。所以PN結(jié)呈

現(xiàn)單向?qū)щ娦?/span>