plasma去膠機反應機理：在干法plasma去膠技術中，氧是首要腐蝕氣體。它在真空plasma去膠機反響室中受高頻及微波能量效果，電離發生氧離子、游離態氧原子O*、氧分子和電子等混合的等離子體.
plasma去膠操作方法：將待去膠片插入石英舟并平行氣流方向，推入真空室兩電極間，抽真空到1.3Pa，通入恰當氧氣，堅持真空室壓力在1.3-13Pa，加高頻功率，在電極間發生淡紫色輝光放電，經過調理功率、流量等技術參數，可得不一樣去膠速率，當膠膜去凈時，輝光不見。
plasma去膠影響要素：
1.頻率挑選：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。
2.功率影響：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據技術需求調理功率。
3.真空度的挑選：恰當進步真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。
plasma去膠機的工作原理：
氧plasma去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧plasma去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。當然我們需要注意的是，這里并不是說氧plasma去膠工藝*好于濕法去膠，同時也不是所有的光刻膠都適用于氧plasma去膠
