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PI 05M-德國OPTRIS歐普士熱像儀
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  • PI 05M-德國OPTRIS歐普士熱像儀

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貨物所在地: 江蘇淮安市
更新時間: 2025-02-27 10:19:08
期: 2025年2月27日--2025年5月30日
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產品簡介

德國OPTRIS歐普士熱像儀新研發的 optris® PI 08M 熱像儀的光譜范圍為 800 nm,可減少因未知或變化的發射率引起的測量誤差。這款紅外熱像儀結構緊湊,由于其光譜范圍以及 575 °C 到 1900 °C 的連續測量范圍,幾乎適用于所有的 NIR 和 CO2 激光加工應用。

詳細介紹

德國OPTRIS歐普士熱像儀幀率為 1 kHz,并具有較高的光學分辨率,能夠地適應不同的應用程序。

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  • measurement-of-pouring-stream.jpg
  • pouring-stream-measurement-with-optris-pi-05m.jpg
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德國OPTRIS歐普士熱像儀主要參數

  • 特殊窄帶光譜響應為 800 nm,
    幾乎是所有 NIR 和 CO2 激光加工應用的理想之選
  • 廣泛的測量范圍:
    575 °C 至 1900 °C,無子范圍
  • 高動態 CMOS 檢測器,分辨率高達 764 x 480 像素
  • 高達 1 kHz 幀率的快速處理
  • 實時模擬輸出,響應時間為 1 ms
  • 包括功能強大的軟件包和 SDK

optris PI 08M 的技術細節包含內容:

USB 熱像儀,含 1 個鏡頭,
鏡頭筒帶保護窗,
USB 線纜 (1 m),
桌上三腳架,
PIF 電纜,含接線盒 (1 m),
optris® PIX Connect 軟件包,
鋁制裝載盒
選件:冷卻套、耐高溫電纜

  • 探測裝置: CMOS (15 μm x 15 μm)
  • 光學分辨率(可切換)/幀率:
    764 x 480 像素 @ 32 Hz
    382 x 288 像素 @ 80 Hz(可切換至 27 Hz)
    72 x 56 像素 @ 1 kHz
    764 x 8 像素 @ 1 kHz(快速線掃描模式)
  • 光譜范圍: 800 nm
  • 溫度量程:
     575 ...1900 °C(27 Hz 模式)
     625 ...1900 °C(80 Hz 和 32 Hz  模式)
    750 ...1900 °C(1 kHz 模式)
  • 光學分辨率:
    FOV @ 382 x 288 px
    13° x 10° (f = 25 mm)

    FOV @ 764 x 480 px
    26° x 16° (f = 25 mm)
  • 熱敏性 (NETD)1)
    27 Hz、32 Hz 和 80 Hz 模式 < 2 K (1000 °C)
    1 kHz 模式 < 3 K (1400 °C)
  • 精度:讀數 ±1 %(<1500 °C)/ ±1.5 % (>1500 °C)
  • PC 接口:USB 2.0/USB 至 GigE (PoE) 轉換選件
  • 高速模擬輸出(@ 1 kHz 模式):
    8x8 像素的 0–10 V 實時輸出(響應時間 1 ms)
  • 標準過程接口 (PIF):
    0–10 V 輸入、數字輸入(高 24 V)、0 – 10 V 輸出
  • 可選工業過程接口 (PIF):
    2x 0-10 V 輸入、數字輸入(高 24 V)、3x 0–10 V 輸出
    3x 繼電器(0 – 30 V/400 mA),故障安全繼電器
  • 電纜長度 (USB):

1 m(標準)、5 m、10 m
5 m 和 10 m 電纜也可用作 HT 電纜 (180 °C)

  • 環境溫度 (TAmb): 5 ...50 °C
  • 存儲溫度:-40 ...70 °C
  • 相對濕度: 20 - 80%,無結露
  • 外殼(尺寸/額定值): 46 mm x 56 mm x 90 mm/IP 67 (NEMA 4)2)
  • 重量: 320g,包括鏡頭
  • 沖擊3): IEC 60068-2-27(25 g 和 50 g)
  • 震動3): IEC 60068-2-6(正弦波形)/IEC 60068-2-64(寬頻帶噪聲)
  • 三腳架: 1/4-20 UNC
  • 電源: USB 

1) 處于 27 Hz、32 Hz 和 80 Hz 模式 
2) 僅在使用鏡頭保護筒時應用 
3) 更多詳情,請參見操作員手冊 

optris PI 08M 紅外測溫儀的應用領域范圍

optris PI 08M 短波長紅外熱像儀可以很好地阻擋 800 nm 以上的輻射,非常適用于激光加工應用。光譜范圍為 800 nm,受到周圍環境影響的可能性較小,因此即使面對不斷變化的發射率,也可以確保測量精。

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