材料超低電阻及電阻率測試儀本儀器采用四端測量方式，測試材料超低電阻、電阻率和高導電性能數(shù)據(jù)。該儀器采用高精度直流恒流恒壓源，高效率，穩(wěn)定度和準確性高；有手動和自動設(shè)定模式；并根據(jù)測試產(chǎn)品特性自動轉(zhuǎn)換測試量程，無需手動調(diào)節(jié)和設(shè)定。4.3吋液晶屏幕顯示，自動顯示測試測試電流、電壓、溫度、電阻率、電導率、電阻值、方阻等數(shù)據(jù)，單位可以轉(zhuǎn)換；選配：如配備軟件可通過軟件操控儀器工作，并獲得測試數(shù)據(jù)之圖表和測試結(jié)果報表，有助于對產(chǎn)品過程質(zhì)量分析；根據(jù)產(chǎn)品形狀不同可以選配測試治具.輔助測量。

適用：電線電纜行業(yè)、導體及半導體材料行業(yè)，碳素、焦化、石化、粉末冶金、高等院校、科研部門對新材料之研究，是檢驗和分析材料樣品質(zhì)量的一種重要的工具及有效方法。

滿足標準： GB/T6717、GB/T 24525-2009、YS/T63.2、 ISO 11713-2000、YS/T63.2-2005、YS/T 64-1993。GB3048.2-2007、GB/T3048.4-2007、GB/T3952-2008、GB/T3953-2009、GB/T3954-2008、GB/T3955-2009、GB/T3956-2008同時也適用于對導體材料電導率高要求之測試超低值電阻及電阻率測量.

技術(shù)參數(shù)

1、電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電   阻：1×10-5～2×105Ω

電導率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  小1μΩ
測量誤差±5%
2、測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 
   測量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
3、⑴電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
   ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, 
   ⑶誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

4. 主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

5、顯示方式：液晶顯示6、電源：220±10% 50HZ/60HZ

7、標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

測量范圍、分辨率（括號內(nèi)為拓展量程，可定制）

材料超低電阻及電阻率測試儀概述：本品為解決四探針法測試超低阻材料方阻及電阻率，zui小可以測試到1uΩ方阻值，是目前同行業(yè)中能測量到的zui小值，采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成報表；

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。選購：本機還可以配合各類環(huán)境溫度試驗箱體使用，通過不同的測量治具滿足不同環(huán)境溫度下測量方阻和電阻率的需求.

廣泛用于：覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等