Y190 Competent Cell:                                         100μl/支              保存： -80℃（3個月）

pGADT7 (control vector, 10 ng/μl)                           10μl              保存：-80℃（12個月）

Carrier DNA (10 μg/μl)                                            100μl              保存：-20℃（12個月）

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存：    4℃（12個月）

基因型

MATa, ura3-52, his3-200, ade2-101, lys2-801, trp1-901, leu2-3, 112, gal4Δ, gal80Δ, cyhr2, LYS2 : : GAL1

UAS-HIS3TATA-HIS3, MEL1 URA3 : : GAL1UAS-GAL1TATA-lacZ

產品說明

Y190菌株是Clontech公司開發的GAL4系統酵母雙雜實驗用菌株，MATa型，可直接轉化質粒或與MATα型酵母菌株Y187通過mating操作進行蛋白互作驗證或篩庫試驗。Transformation marker為: trp1，leu2，cyh2；報告基因為： lacZ，HIS3，MEL1。Y190-GAL4酵母雙雜系統需要兩種質粒配套使用：(pGB和pACT2)或（pGBKT7和pGADT7）。質粒pGB由pGBKT7改造而來，篩選標志為TRP1，用于表達DNA-BD(來自酵母轉錄因子GAL4N端1~ 174位氨基酸)與目標蛋白(Bait)的融合蛋白；質粒pACT2與pGADT7的結構和功能類似，篩選標志為LEU，用于表達AD(GAL4 C端768~881位氨基酸)與目標蛋白 (Prey)的融合蛋白。GAL4系統原理：一個完整的酵母轉錄因子GAL4可分為功能上相互獨立的兩個結構域：位于N端1~174位氨基酸區段的DNA結合域 (DNA-BD)和位于C端768~881位氨基酸區段的轉錄激活域(AD)。DNA-BD能夠識別GAL4-responsive gene的上游激活序列UAS，并與之結合。而AD可以啟動UAS下游的基因進行轉錄。BD和AD單獨存在不能激活轉錄，但當二者接近時，則呈現完整的GAL4活性，使含有UAS的啟動子下游基因轉錄表達。正常條件下，BD不與AD結合，將要檢測的蛋白質分別與BD和AD融合，形成 bait融合蛋白(bait –BD)和 prey融合蛋白 (prey-AD)，如果 bait和 prey發生相互作用，就會促使 BD和 AD的相互接近，形成完整的GAL4，從而激活報告基因的轉錄。Y190感受態細胞經特殊工藝制作，-80℃可保存三個月，pGADT7質粒檢測轉化效率>10⁴ cfu/μg DNA。

操作方法

1. Carrier DNA 在每次使用前要通過加熱處理使其變性為單鏈狀態，步驟如下：Carrier DNA 放95℃水浴或金屬浴3 min，快速插入冰中，靜置3 min，再次放95℃水浴或金屬浴3 min，快速插入冰中，靜置3 min以上。

2. 取100 µl冰上融化的Y190感受態細胞，依次加入預冷的目的質粒0.5-3 µg，Carrier DNA10 µl，PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻，30℃水浴30 min (15 min時翻轉6-8次混勻)。

3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉6-8次混勻)。

4. 5000 rpm離心 40 s棄上清，ddH₂O 400 µl 重懸，離心 30s棄上清。

5. ddH₂O 50 µl重懸，涂板，29℃培養48-96 h。

注意事項

1. 感受態細胞好在冰上融化。

2. 轉化高濃度的質粒可相應減少最終用于涂板的菌量。

3. 同時轉化2-3種質粒時應增加質粒的用量。

4. Y190酵母菌株對高溫敏感，最適生長溫度為27-30℃；高于31℃，生長速度和轉化效率呈指數下降。

5. 菌落變粉不是污染，是酵母細胞生長中一個常見現象。當細胞在平板培養幾天后，平板上的Adenine被酵母消耗完畢，酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用，然而，有些菌株的ADE2基因被破壞，Adenine合成途徑受阻；又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常，所以造成中間產物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變為粉紅色。

6. 酵母在缺陷培養基中生長速度比YPDA培養基慢，培養基中缺陷成分越多，生長越慢，以轉化涂板為例：涂YPDA平板29℃，48 h培養可見直徑1 mm克??；涂SD單缺平板29℃，48-60 h培養可見直徑1 mm克隆，涂SD雙缺平板29℃，60-80 h培養可見直徑1 mm克隆，涂SD三缺或四缺平板平板29℃，80-90h培養可見直徑1 mm克隆。