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原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

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更新時(shí)間:2024/07/04 15:35:02瀏覽次數(shù):3847

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原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀又名原位薄膜應(yīng)力計(jì),采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

詳細(xì)介紹

原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;


原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

典型用戶:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用;

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薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS 薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x):為獨(dú)立測(cè)量系統(tǒng),同樣采用多光束MOS技術(shù),詳細(xì)信息請(qǐng)與我們聯(lián)系。


設(shè)備名稱:

原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng),原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,原位薄膜應(yīng)力計(jì),薄膜應(yīng)力儀,kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System;


主要特點(diǎn):

  1.MOS 多光束傳感器技術(shù);
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì);
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;
  4.薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能;
  5.生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量;(選件)
  6.光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量;(選件)
  7.多基片測(cè)量功能;(選件)
  8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能;(選件)
  9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn);
  10.免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響;


測(cè)試功能:
  1.實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量
  2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量
  3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量
  4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等




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