單溫區滑桿式PECVD系統

一、PECVD系統組成：

單溫區滑桿式PECVD系統由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統、抽氣系統、真空測量系統組成。

二、系統特點：

1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小

4、單溫區滑桿式PECVD系統比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高

5、廣泛應用于：各種薄膜的生長

三、系統組成

1、HGSK2-10-12DZ單溫區滑竿式管式爐

1.1、爐管尺寸：φ100*1800mm

1.2、爐管材質：石英玻璃

1.3、外型尺寸：1800*460*660mm

1.4、溫區數量：單溫區

1.5、設計溫度：1200℃

1.6、電源功率：AV200V\50Hz；3.5kw

1.7、滑軌材質：不銹鋼

1.8、滑動方式：手動不銹鋼滾珠軸承

1.9、控溫儀表：智能30段程序控溫儀表

1.10、控溫精度：±1℃

1.11、加熱區長度：400mm

1.12、控制方式：可控硅觸發控制

1.13、熱電偶：K型

1.14、安全措施：超溫、過壓、過流

1.15、真空密封：不銹鋼法蘭

2、射頻電源（等離子發生器）

2.1、功率范圍：0-500w

2.2、最大發射功率：200w

2.3、射頻寬度：0-600mm

2.4、射頻接口：50Ω N-TYPE

2.5、射頻工作頻率：13.56MHZ

2.6、電源：AC220v、50Hz

3、供氣系統

3.1、雙路質子流量供氣系統

3.2、質子流量計流量范圍可選

3.3、進出氣接口：標配雙卡套不銹鋼接頭

3.4、供氣系統壓力范圍：0.1-0.5MPa

3.5、混氣室：φ50*400mm

3.6、接口規格：φ6  1/4"

4、真空抽氣系統：

4.1、真空泵FX-16

4.1.1、極限壓強：4*10-2Pa

4.1.2、進氣接口：KF25

4.1.3、電機轉速：1440RPM

4.1.4、抽氣速率：4L/S

4.1.5、電機功率：550w

4.2、電阻真空計ZDR-1

4.2.1、功率：25w

4.2.2、真空度范圍：0.1-10*5Pa

4.2.3、電阻硅：ZJ-52T

HGSK2-10-12DZ-PECVD單溫區滑竿式PECVD系統配置：

單溫區滑竿式管式爐一臺、射頻電源一套、兩路質子流量供氣系統一套、抽真空系統一套