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北京漢達森機械技術有限公司
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德國ADL離子源電源GG 12 Beam用于微電子

參   考   價: 48000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌其他品牌

廠商性質代理商

所  在  地北京市

更新時間:2025-04-01 11:34:44瀏覽次數:265次

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供貨周期 一個月以上 應用領域 生物產業,能源,電子/電池,電氣,綜合
德國ADL離子源電源GG 12 Beam用于微電子
對于離子源(Kaufmann 和 ECR)的作,可以使用特殊電源。根據要求,這些裝置還可以配備其他輸出電壓或輸出功率。所有電源均具有 AS 4 接口、Profibus、EtherCat 或 RS232/484 接口。

德國ADL離子源電源GG 12 Beam用于微電子

公司簡介:

ADL Analoge & Digitale Leistungselektronik GmbH是一家開發和制造商,生產電源和發電機,以及用于特殊工業應用和研究機構的電力電子設備。

ADL 濺射技術在產品和鍍膜設計方面擁有 30 多年的經驗和專業知識。這種專業知識使 ADL 成為各種薄膜涂層合作伙伴 - 用于顯示器、箔、玻璃、硬涂層、工具、裝飾表面、微電子等等。

產品介紹:

離子源電源GG 12 Beam 

產品特點:

在離子束和等離子體工藝技術中的廣泛應用

蝕刻、濺射等等

創新應用,例如微電子、光學和傳感器

工業生產領域

鍍膜工藝:在光學鍍膜、硬質涂層等工業鍍膜過程中,ADL GG 12 Beam 為離子源提供穩定的電力,使離子能夠均勻地轟擊靶材,實現高質量的薄膜沉積。這種高質量的鍍膜可以提高產品的耐磨性、耐腐蝕性、光學性能等,廣泛應用于眼鏡鏡片、刀具、汽車零部件等產品的表面處理。

半導體制造:在半導體芯片制造過程中,用于離子蝕刻、離子注入等關鍵工藝。通過精確控制離子源的參數,實現對芯片結構的高精度加工和摻雜,確保芯片的性能和可靠性。例如,在芯片的光刻工藝之后,利用離子蝕刻技術可以精確地去除不需要的半導體材料,形成復雜的電路結構;而離子注入則可以精確地控制半導體中的雜質濃度,從而調節晶體管的性能。

型號列表:

GG 03 Accelerator    09Z001

GG 03.1 Accelerator   09Z002

GG 08 Accelerator      09Z005

GG 12 Beam                09Z011

GG 12.1 Beam             09Z012

德國ADL離子源電源GG 12 Beam用于微電子


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