PCL納米纖維內嵌網格膜片150nm-昊然

靜電紡絲技術是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動并發生形變,然后經溶劑蒸發或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質，這一過程簡稱電紡。

PCL納米纖維內嵌網格膜片150nm-昊然

PCL納米纖維內嵌網格膜片150nm（厚度：600um）（孔數：6/12/24/48/96）（網格空隙：200um）

以可生物降解的聚己內酯(PCL)為原料,以TFEA為溶劑,采用改進的靜電紡絲(靜電紡紗)技術成功制備了PCL取向納米纖維紗線.研究了不同靜電紡紗工藝參數(溶液濃度,電壓,紡絲距離)對PCL納米纖維紗線的制備以及形態的影響.

多孔薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：100/200/500）um或1cm

多孔薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：100/200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

PS納米纖維網格濾片150nm（厚度：600um）（直徑3/8cm）（網格空隙：200um）

PS納米纖維網格濾片300nm（厚度：1000um）（直徑3/8cm）（網格空隙：400um）

PS納米纖維薄膜網格濾片150nm（厚度：1cm）（網格空隙：200um）

PS納米纖維薄膜網格濾片300nm（厚度：1cm）（網格空隙：400um）

PS納米纖維內嵌網格濾片150nm（厚度：600um）（孔數：6/12/24/48/96）（網格空隙：200um）

溫馨提示：以上產品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）