LaNiO3薄膜-立方鈣鈦礦結構-瑞禧供應

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LaNiO3薄膜-立方鈣鈦礦結構-瑞禧供應

尺寸：2×2cm

基底: Si

英文名稱：LaNiO3-film

采用射頻磁控濺射制備工具有(100)擇優取向的贗立方鈣鈦礦結構的LaNiO3-x薄膜，并對薄膜在265℃的襯底溫度下進行了原位熱處理。測試結果表明薄膜具有金屬導電性，薄膜中晶粒大小約為10nm，并且熱處理對薄膜的結構沒有影響。

同時，隨著熱處理時間延長，薄膜品格的含氧量、電導率、光學折射率以及消光系數都將逐步降低。采用經典電磁理論，通過計算機模擬成功解釋了這些實驗結果和證明了以前給出的理論解釋。此外，數值模擬和實驗結果同時表明在純氬氣氛中濺射制備的LaNiO3薄膜晶格中存在氧空位，為了提高電導率，濺射時的氧氣比例應超過20％。

LaNiO3薄膜的制備表征及應用：為改進以醇鹽為原料溶膠-凝膠制備LaNiO3(LNO)薄膜工藝中存在的諸多苛刻因素,以無機鹽為原料,利用濕化學工藝在硅襯底上制備了LNO薄膜,La(NO3)3·6H2O和Ni(NO3)2·6H2O冰醋 酸溶液通過配體交換形成金屬醋酸鹽的冰醋酸溶液,回流時用乙酸酐(CH3CO)2O除硝酸根和結晶水,而乙酰丙酮(AcAc)部分取代醋酸鹽分子中的醋酸根而形成的M(OAc)n-x(AcAc)x(M=La3+或Ni2+)能部分水解形成M(OH)n-x(AcAc)x.

該羥基金屬離子通過羥基聚合并與 甲基纖維素(MCL)形成線狀結構LNO溶膠,易于成膜.LNO薄膜經過550-850℃/60min退火形成多晶膺立方鈣鈦礦結構,其晶格參數 a=3.84(A).四引線法測定厚度0.6μmLNO薄膜電阻率與溫度的變化在-163-150℃之間能符合ρ=ρ0+AT2關系式.

在1KHz測試頻 率下,測得Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)(52/48)薄膜剩余極化強度Pr在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si襯底和Pt/Ti /SiO2/Si襯底上分別為19.6和23.5μC·cm-2,矯頑場分別為76.1和85.1 kV·cm-1.

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