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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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石墨烯場效應晶體管芯片S31，GFET-S31
中文名稱：石墨烯場效應晶體管芯片S31（GFET-S31）
英文名稱：Graphene Field-Effect Transistor chip S31
cas號：7440-44-0
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：525μm
每個芯片的GFET數量：30
柵氧化層厚度（EOT）：20nm
柵極氧化物材料：Al2O3
Dirac點：＜5 V
良率 ：＞75%
石墨烯場效應遷移率：＞600cm2/V.S
應用：石墨烯器件研究，化學傳感器，生物傳感器，生物電子學，磁傳感器，光電探測器。
保存條件：常溫干燥避光，密封保存
石墨烯場效應晶體管芯片S31，GFET-S31
GFET-S31以網格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。允許單獨控制芯片內每個石墨烯通道的電導。有3種石墨烯通道尺寸，可以研究尺寸對器件屬性的依賴性，從而實現即時優化。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.
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