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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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InSiTe3晶體，半導體
材料名稱：InSiTe3晶體
性質分類：半導體，熱電材料
禁帶寬度：0.8 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩定性一般，需要避開水氧保存
研磨成粉末測試XRD
InSiTe3晶體，半導體
InSiTe3代表一種由銦（In）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物，具有晶體結構。
InSiTe3是一種可能具有電學、磁學或光學性質的材料。層狀化合物通常具有在不同方向上的電子結構，這可能導致其在電子學、光電子學或其他領域有一定的應用潛力。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.19.
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