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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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SnBi4Te7晶體，拓撲絕緣體，紅外半導體
中文名稱：SnBi4Te7晶體
性質分類：拓撲絕緣體，紅外半導體
禁帶寬度：0.632eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：中
存儲：4℃冷藏、密封、避光
保存時間：1年
規格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
用途：僅用于科研，不能用于人體
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SnBi4Te7晶體，拓撲絕緣體，紅外半導體
SnBi4Te7是一種含錫（Sn）、鉍（Bi）和碲（Te）的化合物，屬于拓撲絕緣體材料家族。它具有復雜的層狀結構，其中錫、鉍和碲原子排列形成層狀結構。
這種材料因其電子結構和拓撲性質而備受關注。它具有表面態和邊緣態上的拓撲保護特性，這使得它在拓撲電子學和量子信息領域具有潛在應用。
拓撲絕緣體如SnBi4Te7等材料在表面態上表現出非常有趣的電子行為，這些性質使得它們在量子計算和量子信息處理中有著潛在的應用前景。因為它們的表面態能夠保護量子比特，使得其對外部擾動不敏感。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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