目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>光電探測器>>Si硅光電探測器>> PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅（Si）硅光電探測器
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
|---|
器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。
特點：
平面正照結構
快速響應
低暗電流
高響應度
高可靠性
應用領域：
光纖通信、傳感、測距
可見光至近紅外領域的光探測
快速光脈沖檢測
各種工業控制系統。
產品參數：
參數 | 符 號 | 測試 條件 | 典 型 值 | 單位 | ||||||||||||
光敏面尺寸 | Φ0.2 | Φ0.5 | Φ1 | Φ2 | Φ4 | Φ5 | Φ8 | 0.5X0.5 | 1X1 | 1.3X1.3 | 2X2 | 3X3 | mm | |||
光參數 | 光譜響應 范圍 |
λ |
400~1100 |
nm | ||||||||||||
響應度 |
Re | VR=15V λ=900nm |
0.40 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0．55 |
0.45 |
0.45 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
A/W | |
響應時間 |
tr | VR=15V， RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
8 |
15 |
15 |
25 |
3.5 |
5 |
8 |
10 |
15 |
nS | |
電參數 | 暗電流 | ID | VR=15V | 1 | 2 | 3 | 5 | 12 | 40 | 60 | 3 | 3 | 4 | 6 | 10 | nA |
反向擊穿 電壓 |
VBR |
IR=10μA |
100 |
50 |
80 |
V | ||||||||||
電容 |
Cj | f=1MHz VR=15V |
0.8 |
1.2 |
2.0 |
6 |
20 |
30 |
70 |
6.0 |
3 |
3 |
10 |
25 |
pF | |
工作電壓 | VR | 0~15 | V | |||||||||||||
管座型號 | 同軸 II 型、5501、 TO46、插拔式、帶尾纖 |
T0-5 |
TO-8 | 同軸 II 型、5501、 TO46、插拔式、T05 |
T0-5 | |||||||||||
飽和光功率?0.3w/cm2 | ||||||||||||||||
*器件的光敏面尺寸及技術指標可根據用戶的使用要求而定;具體參數及器件管殼使用引腳詳見產品附帶參數表.
封裝尺寸：
封裝圖片 | 尺寸信息 | 訂購代碼 |
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| C-II |
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| TO46 |
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| 5501 |
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| TO5A |
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| TO5B |
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| TO8 |
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| FC-SA |
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| ADP |
注意事項
該器件在反向偏置電壓下工作,注意器件極性不能接反。
光纖彎曲度不能小于 45 度。
器件在貯運、使用中注意靜電防護措施。
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