目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZGSOI芯片光延時(shí)線(xiàn)
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更新時(shí)間：2025-05-10 14:38:29瀏覽次數(shù)：1243評(píng)價(jià)
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一、SOI芯片光延時(shí)線(xiàn)的定義
SOI芯片式低偏振相關(guān)損耗可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)，該產(chǎn)品基于級(jí)聯(lián)的高速光開(kāi)關(guān)和延時(shí)光路組成，實(shí)現(xiàn)大量程、高精度量化可調(diào)光延時(shí)線(xiàn)的片上集成，本產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超低偏振相關(guān)性損耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片光延時(shí)線(xiàn)的特點(diǎn)
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片光延時(shí)線(xiàn)的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)
四、SOI芯片光延時(shí)線(xiàn)的性能指標(biāo)
| 參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 單級(jí)熱調(diào)功耗 | mW | 100 | ||
| 單級(jí)電調(diào)功耗 | mW | 10 | ||
| 光纖接入損耗 | dB | 12@9 bit | ||
| 偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.5 | ||
| 延時(shí)量精度 | ps | 30@2048 pS | ||
| 延遲步進(jìn) | ps | 2 | ||
| 平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 pS | ||
| 響應(yīng)速率 | Hz | >20kHz@熱調(diào)試模式，>10MHz@電調(diào)模式 | ||
| 最大延時(shí)量 | ps | 1024/2048 或可定制 | ||
| 延時(shí)量量化位數(shù) | bit | 10或可定制 | ||
| 通道數(shù) | 1或可定制 | |||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 8.1(L)x2.3(W)x0.5(H) | ||
五、SOI芯片光延時(shí)線(xiàn)的芯片尺寸
六、四川梓冠光電
訂貨信息
| 波長(zhǎng) | 類(lèi)型 | 通道數(shù) |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit，2048 ps XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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