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碳化硅晶舟產品介紹：

碳化硅晶舟（SiC Boat）是以高純度碳化硅（SiC，純度＞99.9990%）為基材，通過無壓燒結（RBSC）工藝制成的晶圓承載工具，3D打印一體成型，無需模具，數控機床加工或者線切割加工齒槽，無毛刺，不會劃傷硅片。專為半導體、光伏、LED等精密制造領域設計。其核心功能是在高溫、腐蝕性環境中穩定承載硅片、晶圓或其他基板，廣泛應用于化學氣相沉積（CVD）、擴散、退火等工藝。  

性能特點  

1. 環境穩定性  

耐高溫：長期工作溫度達1350~1600℃，短期可耐受1800℃（如碳化硅單晶生長爐），高溫下無軟化變形。  

抗熱震性：熱膨脹系數低（4.5×10??/℃），可承受快速升降溫（如從室溫至1200℃的急變循環）。  

2. 超高純度與低污染  

材料雜質含量＜0.01ppm（如金屬雜質Fe、Al＜1ppb），避免硅片污染；  

表面光潔度Ra＜0.1μm，減少顆粒物附著，適配半導體7nm以下先進制程。  

3. 機械性能  

高承載強度：抗彎強度＞2500MPa，單舟可承載100片以上12英寸晶圓；  

耐腐蝕性：耐受HCl、HF等刻蝕氣體及熔融硅侵蝕，壽命較石英晶舟延長58倍。  

4. 節能與長壽命  

導熱系數達45W/(m·K)，熱量分布均勻，減少工藝能耗；  

典型應用場景  

1. 半導體制造  

CVD/擴散工藝：承載硅片完成氧化層、多晶硅或氮化硅薄膜沉積；  

離子注入：耐高溫離子轟擊環境，保障摻雜均勻性。  

2. 光伏產業  

TOPCon/HJT電池生產：用于LPCVD設備中硅片繞鍍與鈍化層制備；  

PERC電池退火：在高溫爐中完成背鈍化與金屬化工藝。  

3. LED與第三代半導體  

GaN外延生長：在MOCVD反應室中承載藍寶石襯底，耐受NH?等腐蝕性氣體；  

碳化硅單晶生長：作為籽晶承載架，耐受熔融硅高溫腐蝕環境。  

4. 新能源與科研領域  

鋰電池材料燒結：承載正極材料（如三元材料）完成高溫固相反應；  

核工業：用于放射性材料高溫處理，兼具耐輻射與耐腐蝕特性。