2.化學氣相沉積法(CVD)
化學氣相沉積法是利用氣體原料在氣相下發生化學反應，控制溫度、氣速、反應氣壓等條件下形成納米粒子，經過成核和核成長兩個過程制備材料的方法。
Wang等使用天然氣作為碳源，使用過渡金屬或稀止金屬氧化物作為催化劑，用化學氣相沉積法制備炭微球。研究發現當溫度加熱到1100℃時，可制備出粒徑約為210nm的炭微球。Serp等以CH4和H2混合器為原料，金屬鐵為催化劑，在1100℃制備出粒徑分布在100-300nm的炭微球。
Miao等使用含有過渡金屬的高嶺王催化化學沉積法，可在高于650℃的溫度下，大批量制備出粒徑在400-2000nm的炭微球，并且微球可分別通入N2和C2H2來進行提純和分離。
微球在空氣中具有熱穩定性，在低于500℃、N2氣氛氛圍下也沒有吸熱和放熱現象發生。由于CVD法制備炭微球需要的溫度較高，合成的離子易團聚，研究人員在其基礎上又開發了等離子體CVD、激光CVD等方法。
化學氣相沉積法制備的微球團聚現象比較嚴重，因此粒徑分布較寬，而且制備的微球表面都比較粗糙。
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