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RIGAKU日本理學用于薄膜評估的 X 射線熒光光譜儀WaferX 310
WaferX 310 系列
用于薄膜評估的 X 射線熒光光譜儀
波長色散 X 射線熒光光譜儀 （WD-XRF） 可以無損、非接觸式方式同時分析 300 mm 和 200 mm 晶圓上各種薄膜的厚度和成分。
這是一種波長色散 X 射線熒光光譜儀 （WD-XRF），可以無損、非接觸地同時分析 300 mm 和 200 mm 晶圓上各種薄膜的厚度和成分。 它與 GEM300 兼容，并支持 300mmFab 的在線規格。 XYθZ 驅動式樣品臺（方法）可準確分析各種金屬膜，避免了衍射線的影響。 使用 4kW 高功率 X 射線管可以測量痕量元素。 此外，通過安裝高靈敏度硼檢測器，可以高精度地分析超輕元素，例如 BPSG 薄膜中的硼分析。 它是同類產品中第一個配備樣品高度校正功能和自動校準（全自動日常檢查和強度校正功能）的儀器。
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WaferX 310 規格
| 產品名稱 | WaferX 310 系列 | |
|---|---|---|
| 技術 | 波長色散 X 射線熒光光譜法 （WD-XRF） | |
| 用 | 晶圓上 300 mm、200 mm 以及各種薄膜厚度和成分 | |
| 科技 | 4 kW 高功率 X 射線源，在工廠自動化中處理 WDXRF | |
| 主要組件 | 多達 21 個通道，固定類型（?Be 到 ??U），掃描類型（??Ti 到 ??U），CE 標志，GEM-300，SEMI S2/S8 | |
| 選擇 | 300 mm 工廠自動化 | |
| 控制 （PC） | 內部 PC、MS Windows®作系統 | |
| 本體尺寸 | 1200 （W） x 1950 （H） x 2498 （D） 毫米 | |
| 質量 | 1166 kg（主機） | |
| 權力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz，50 A | |
WaferX 310 概述
支持痕量元素的濃度和成分分析
與從輕到重的各種元件兼容： 4是~92U
高靈敏度硼檢測儀 AD-Boron
我們不斷開發新的光學系統，例如提高硼分析能力，以提高分析的準確性和穩定性。 此外，它還配備了恒溫機構和真空度穩定機構作為穩定標準設備。
X-Y-theta-Z 驅動平臺
X-Y-theta-Z 驅動樣品臺和測量方向設置程序可以準確測量晶圓整個表面的薄膜厚度和成分分布。 鐵電薄膜也不受衍射線的影響。
應用
半導體器件 BPSG、SiO2四3N4， ??摻雜多晶硅（B，P，N，As）， Wsix， ??AlCu， TiW， TiN， TaN， PZT， BST， SBT， ?? MRAM， ?? 金屬
薄膜W， Mo， Ti， Co， Ni， Al， Cu， Ir， Pt， Ru， ??
高κ/金屬柵極Al， La， Hf， ???
焊料凸塊
各種固定測角儀
我們根據薄膜厚度和結構提供最佳的固定測角儀。 我們還有一個專用的光學系統，可以在硅晶片上分析 Wsix 薄膜。
全自動日常管理功能 AutoCal
儀器必須正確校準才能獲得準確的分析值。 為此，必須定期測量檢查晶圓和 PHA 調整晶圓作為管理晶圓，以保持設備處于良好狀態。 這種日常校準工作是自動化的，減少了作員的工作量。 那就是“AutoCal 功能”。
兼容 300mm Fab
配備 Fab 的標準 FOUP/SMIF 接口，兼容 300mm/200mm 晶圓。 此外，它還支持各種 AMHS，并通過支持主機和 SECS/GEM 協議來支持 CIM/FA。
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